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CRIO-9014	文件：117.1 Kbytes Page：4 Pages	CompactRIOHigh-PerformanceReal-TimeControllers	NI National Instruments Inc.	NI
DC9014	文件：215.22 Kbytes Page：1 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFNPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description Designedforuseinpre-amplifieroflowlevelandlownoise.	DCCOMDc Components 直流元件直流元件有限公司	DCCOM
DMBT9014	文件：229.24 Kbytes Page：1 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFNPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR	DCCOMDc Components 直流元件直流元件有限公司	DCCOM
FTC9014	文件：254.95 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(NPN) TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●HighTotalPowerDissipation.(Pc=0.45W) ●HighhFEandGoodLinearity ●ComplementarytoFTC9015	FS First Silicon Co., Ltd	FS
FW9014-XXXE	文件：1.7929 Mbytes Page：36 Pages	BobbintronElectricalCorporation	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
G9014	文件：184.63 Kbytes Page：3 Pages	TheG9014isdesignedforgeneralpurposeamplifierapplications	ETLE-Tech Electronics LTD 亞歷電子亞歷電子有限公司	ETL
G9014	文件：182.65 Kbytes Page：3 Pages	NPNEPITAXIALTRANSISTOR Description TheG9014isdesignedforgeneralpurposeamplifierapplications.	GTM 勤益投資控股股份有限公司	GTM
GFC9014	文件：119.35 Kbytes Page：1 Pages	PChannelPowerMOSFET	GSGGunter Seniconductor GmbH. Gunter Seniconductor GmbH.	GSG
GM9014	文件：246.91 Kbytes Page：3 Pages	ExcellentHFELinearityHFE:HFE(0.1mA)/hFE(2mA)=0.95(Typ.)	GSMEGuilin Strong Micro-Electronics Co., Ltd. Guilin Strong Micro-Electronics Co., Ltd.	GSME
GMBT9014	文件：253.06 Kbytes Page：3 Pages	NPNEPITAXIALTRANSISTOR	ETLE-Tech Electronics LTD 亞歷電子亞歷電子有限公司	ETL
GMBT9014	文件：251.01 Kbytes Page：3 Pages	PNPEPITAXIALTRANSISTOR	GTM 勤益投資控股股份有限公司	GTM
GSMBT9014	文件：195.2 Kbytes Page：3 Pages	NPNEPITAXIALTRANSISTOR	GTM 勤益投資控股股份有限公司	GTM
GSMBT9014	文件：197.71 Kbytes Page：3 Pages	NPNEPITAXIALTRANSISTOR	ETLE-Tech Electronics LTD 亞歷電子亞歷電子有限公司	ETL
H9014	文件：143.97 Kbytes Page：2 Pages	NPNSILICONTRANSISTOR PRE-AMPLIFIER，LOWLEVEL&LOWNOISE	HuashanHuashan Electronic Devices Co 华汕电子器件	Huashan
HCS9014	文件：215.21 Kbytes Page：4 Pages	GENERALPURPOSETRANSISTOR	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰广东合科泰实业有限公司	HOTTECH
HE9014	文件：43.48 Kbytes Page：4 Pages	NPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description TheHE9014isdesignedforuseinpre-amplifieroflowlevelandlownoise. Features •HighTotalPowerDissipation(PD:450mW) •ComplementarytoHE9015 •HighhFEandGoodLinearity	HSMC 华昕	HSMC
HMBT9014	文件：50.44 Kbytes Page：5 Pages	NPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description TheHMBT9014isdesignedforuseinpre-amplifieroflowlevelandlownoise. Features •HighTotalPowerDissipation(PD:225mW) •ComplementarytoHMBT9015 •HighhFEandGoodLinearity	HSMC 华昕	HSMC
HN9014	文件：369.5 Kbytes Page：5 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistorforswitchingandAFamplifierapplications????????? NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistorforswitchingandAFamplifierapplications	SEMTECH Semtech Corporation	SEMTECH
IRFD9014	文件：177.51 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-60V,Rds(on)=0.50ohm,Id=-1.1A)	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFD9014	文件：839.16 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. The4pinDIPpackageisalowcostmachine-insertablecasestylewhichcanbestackedinmultiplecombinat	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay

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详细参数

型号：
IRFL9014TR
功能描述：
MOSFET P-Chan 60V 1.1 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多IRFL9014TR供应商更新时间2024-5-16 10:18:00

详细参数

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