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IRFIB5N50LPBF	文件：178.7 Kbytes Page：9 Pages	SMPS MOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFIB5N50LPBF	文件：170.31 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IXFP5N50	文件：295.28 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.65Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andPFCCircuits..	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFP5N50PM	文件：111.27 Kbytes Page：2 Pages	PolarHVTMHiPerFETPowerMOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTA5N50P	文件：299.4 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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详细参数

型号：
IRFIB5N50LPBF
功能描述：
MOSFET N-Chan 500V 4.7 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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