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IRFIB5N65	文件：103.13 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=650V, Rds(on)max=0.93ohm, Id=5.1A) 文件：103.13 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
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IRFIB5N65A	文件：198.2 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET FEATURES • Low gate charge Qg results in simple drive requirement • Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness • Fully characterized capacitance and avalanche voltage and current • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 APPL 文件：198.2 Kbytes 页数：10 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
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IRFIB5N65A	文件：103.13 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=650V, Rds(on)max=0.93ohm, Id=5.1A) 文件：103.13 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRFIB5N65A	文件：150.53 Kbytes Page：8 Pages	Uninterruptible Power Supply 文件：150.53 Kbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
IRFIB5N65A	文件：319.07 Kbytes Page：2 Pages	iscN-Channel MOSFET Transistor 文件：319.07 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRFIB5N65APBF	文件：218.65 Kbytes Page：8 Pages	SMPS MOSFET 文件：218.65 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRFIB5N65APBF	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET N-CH650V HEXFET MOSFET	Vishay 威世	Vishay
IRFIB5N65APBF	文件：300 bytes Page：1 Pages	SMPS MOSFET	Infineon 英飞凌	Infineon

详细参数

型号：
IRFIB5N65
制造商：
IRF
制造商全称：
International Rectifier
功能描述：
Power MOSFET(Vdss=650V, Rds(on)max=0.93ohm, Id=5.1A)

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