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IRFIB5N65A	文件：103.13 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=650V, Rds(on)max=0.93ohm, Id=5.1A) 文件：103.13 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRFIB5N65A	文件：319.07 Kbytes Page：2 Pages	iscN-Channel MOSFET Transistor 文件：319.07 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRFIB5N65A	文件：150.53 Kbytes Page：8 Pages	Uninterruptible Power Supply 文件：150.53 Kbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFIB5N65A_V01	文件：198.2 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET FEATURES • Low gate charge Qg results in simple drive requirement • Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness • Fully characterized capacitance and avalanche voltage and current • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 APPL 文件：198.2 Kbytes 页数：10 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFIB5N65APBF	文件：218.65 Kbytes Page：8 Pages	SMPS MOSFET 文件：218.65 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRFIB5N65A	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET	Vishay 威世科技	Vishay
IRFIB5N65APBF	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET N-CH650V HEXFET MOSFET	Vishay 威世科技	Vishay
IRFIB5N65APBF	文件：300 bytes Page：1 Pages	SMPS MOSFET	Infineon 英飞凌	Infineon

详细参数

型号：
IRFIB5N65A
功能描述：
MOSFET N-Chan 650V 5.1 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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