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IRFIB5N65APBF中文资料MOSFET N-CH650V HEXFET MOSFET数据手册Vishay规格书

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厂商型号

IRFIB5N65APBF

功能描述

MOSFET N-CH650V HEXFET MOSFET

制造商

Vishay Vishay Siliconix

中文名称

威世 威世科技公司

数据手册

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更新时间

2025-11-17 23:00:00

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技术参数

  • 型号:

    IRFIB5N65APBF

  • 功能描述:

    MOSFET N-Chan 650V 5.1 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
24+
NA/
4130
原装现货,当天可交货,原型号开票
询价
VISHAY/威世
22+
100000
代理渠道/只做原装/可含税
询价
vishay
20+
na
65790
原装优势主营型号-可开原型号增税票
询价
VISHAY
17+
TO-220
20
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
询价
VISHAY
原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百
询价
VishayIR
24+
TO-220F
2525
询价
VISHAY
TO220
53650
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
询价
Vishay
NEW-
MOSFETs
100000
Trans MOSFET N-CH 650V 5.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
询价
IR
23+
TO-220
5000
原装正品,假一罚十
询价
Vishay Siliconix
22+
TO2203 Isolated Tab
9000
原厂渠道,现货配单
询价