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CEM4412S1	文件：503.47 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■30V,7A,RDS(ON)=28mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=42mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■SurfacemountPackage.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET

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CEM4412S1

文件：503.47 Kbytes

Page：5 Pages

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES ■30V,7A,RDS(ON)=28mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=42mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■SurfacemountPackage.

CETChino-Excel Technology

华瑞华瑞股份有限公司

CET

详细参数

型号：
CEM4412S1
制造商：
CET
制造商全称：
Chino-Excel Technology
功能描述：
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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更多CEM4412S1供应商更新时间2025-7-26 15:01:00

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