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CEP15M3	文件：484.68 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 30V,188A,RDS(ON)=2.1mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RDS(ON)=3.2mW@VGS=4.5V. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEB15M3	文件：484.68 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 30V,188A,RDS(ON)=2.1mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RDS(ON)=3.2mW@VGS=4.5V. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
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CEP15M3

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N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES 30V,188A,RDS(ON)=2.1mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RDS(ON)=3.2mW@VGS=4.5V. RoHScompliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CET-MOS

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N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES 30V,188A,RDS(ON)=2.1mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RDS(ON)=3.2mW@VGS=4.5V. RoHScompliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

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Edal Industries, Inc.

EDAL

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市尼博电子有限公司	CEP15M3	CET	22+	TO251	50000	一级代理,放心购买!	询价
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更多CEP15M3供应商更新时间2024-5-22 9:02:00

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