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AO4407B	文件：997.85 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Available •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •100UISTested APPLICATIONS •LoadSwitches -NotebookPCs -DesktopPCs	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AO4407-HF	文件：2.34805 Mbytes Page：4 Pages	P-ChannelMOSFET ■Features ●VDS(V)=-30V ●ID=-12A(VGS=-20V) ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
AO4407L	文件：168.67 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAO4407usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),andultra-lowlowgatechargewitha25Vgaterating.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.StandardProductAO4407isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications)	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AON4407	文件：30.53 Kbytes Page：3 Pages	PlasticEncapsulatedDevice	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AON4407L	文件：164.88 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAON4407LusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas1.8V.Thisdeviceissuitableforuseasaloadswitch. -RoHSCompliant -HalogenFree Features VDS(V)=-12V ID=-9A(VGS=-4.5V	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AP4407F	文件：80.35 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNELENHANCEMENTMODE Description TheAdvancedPowerMOSFETsfromAPECprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220isolationpackageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsandsuitedforl	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	A-POWER
AP4407GM	文件：72.36 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET BVDSS-30V RDS(ON)14mΩ ID-10.7A Description TheAdvancedPowerMOSFETsfromAPECprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness.TheSO-8packageisuniversallypreferredforallcommercial-indust	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	A-POWER
AP4407GM	文件：996.4 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AP4407GM-HF	文件：1.00174 Mbytes Page：5 Pages	P-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
AP4407GM-HF	文件：213.84 Kbytes Page：5 Pages	SimpleDriveRequirement,LowOn-resistance BVDSS-30V RDS(ON)14mΩ ID-10.7A Description AdvancedPowerMOSFETsfromAPECprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness.TheSO-8packageiswidelypreferredforallcommercial-industrialsurf	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	A-POWER

详细参数

型号：
AO4407AL
制造商：
AOS
功能描述：
MOSFET

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