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AO4447	文件：1.15858 Mbytes Page：7 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor GeneralDescription TheAO4447usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),andultra-lowlowgatecharge.Thisdeviceissuitableforuseasaloadswitch.ThedeviceisESDprotected.StandardProductAO4447isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AO4447LisaGr	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO4447	文件：1.69907 Mbytes Page：4 Pages	30V P-Channel MOSFET GeneralDescription TheAO4447usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),andultra-lowlowgatecharge.Thisdeviceissuitableforuseasaloadswitch.ThedeviceisESDprotected. ProductSummary VDS(V)=-30V ID=-15A(VGS=-10V) MaxRDS(ON)	WHXPCBshenzhen wanhexing Electronics Co.,Ltd 万和兴电子深圳万和兴电子有限公司	WHXPCB
AO4447	文件：1.55743 Mbytes Page：4 Pages	P-Channel MOSFET ■Features ●VDS(V)=-30V ●ID=-15A(VGS=-10V) ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
AO4447	文件：174.7 Kbytes Page：4 Pages	30V P-Channel MOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO4447A	文件：194.7 Kbytes Page：5 Pages	30V P-Channel MOSFET GeneralDescription TheAO4447AusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.Thisdeviceisidealforloadswitchandbatteryprotectionapplications. ProductSummary VDS(V)=-30V ID=-17A(VGS=-10V) RDS(ON)	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO4447A	文件：2.18589 Mbytes Page：5 Pages	30V P-Channel MOSFET GeneralDescription •TheAO4447AusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.Thisdeviceisidealforloadswitchandbatteryprotectionapplications. •RoHSandHalogen-FreeCompliant ProductSummary VDS-3	WHXPCBshenzhen wanhexing Electronics Co.,Ltd 万和兴电子深圳万和兴电子有限公司	WHXPCB
AO4447A	文件：1.71304 Mbytes Page：4 Pages	P-Channel MOSFET ■Features ●VDS(V)=-30V ●ID=-17A(VGS=-10V) ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
AO4447A	文件：992.94 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-free •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •100UISTested APPLICATIONS •LoadSwitch •NotebookAdaptorSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AO4447A	文件：383.45 Kbytes Page：5 Pages	30V P-Channel MOSFET GeneralDescription •TrenchPowerMOSFETtechnology •LowRDS(ON) •ESDProtected •RoHSandHalogen-FreeCompliant Applications •System/LoadSwitch •BatterySwitch •USB-PDLoadSwitch	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO4447A	文件：938.6 Kbytes Page：7 Pages	Marking：AO4447A；Package：SOP-8；-30V P-Channel MOSFET Features VDS(V)=-30V ID=-18.5A(VGS=-10V) RDS(ON)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW

详细参数

型号：
AO4447
功能描述：
MOSFET P-CH -30V -15A 8-SOIC
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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