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AO4447A_V01	文件：383.45 Kbytes Page：5 Pages	30V P-Channel MOSFET GeneralDescription •TrenchPowerMOSFETtechnology •LowRDS(ON) •ESDProtected •RoHSandHalogen-FreeCompliant Applications •System/LoadSwitch •BatterySwitch •USB-PDLoadSwitch	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO4447A-HF	文件：1.86494 Mbytes Page：4 Pages	P-Channel MOSFET ■Features ●VDS(V)=-30V ●ID=-17A(VGS=-10V) ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
AO4447AL	文件：167.04 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor GeneralDescription TheAO4447ALusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.Thisdeviceisidealforloadswitchandbatteryprotectionapplications. -RoHSCompliant -HalogenFree Features VDS(V)=-30V ID=-17A(VGS=-10V) RDS	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO4447-HF	文件：1.86846 Mbytes Page：4 Pages	P-Channel MOSFET ■Features ●VDS(V)=-30V ●ID=-15A(VGS=-10V) ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
AO4447L	文件：1.15858 Mbytes Page：7 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor GeneralDescription TheAO4447usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),andultra-lowlowgatecharge.Thisdeviceissuitableforuseasaloadswitch.ThedeviceisESDprotected.StandardProductAO4447isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AO4447LisaGr	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO4447_10	文件：174.7 Kbytes Page：4 Pages	30V P-Channel MOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD

详细参数

型号：
AO4447
功能描述：
MOSFET P-CH -30V -15A 8-SOIC
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多AO4447供应商更新时间2025-7-26 14:14:00

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