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AO4415	文件：273.11 Kbytes Page：6 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor [AOSMD] GeneralDescription TheAO4415usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),andultra-lowlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications. Features VDS(V)=-30V ID=-8A RDS(ON)	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
AO4415	文件：1.34155 Mbytes Page：4 Pages	P-Channel MOSFET ■Features ●VDS(V)=-30V ●ID=-8A(VGS=-20V) ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
AO4415	文件：172.68 Kbytes Page：4 Pages	30V P-Channel MOSFET GeneralDescription TheAO4415usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),andultra-lowlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications. ProductSummary VDS(V)=-30V ID=-8A(VGS=-20V) RDS(ON)	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO4415	文件：1.69843 Mbytes Page：4 Pages	30V P-Channel MOSFET GeneralDescription TheAO4415usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),andultra-lowlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications. ProductSummary VDS(V)=-30V ID=-8A(VGS=-20V) RDS(ON)	WHXPCBshenzhen wanhexing Electronics Co.,Ltd 万和兴电子深圳万和兴电子有限公司	WHXPCB
AO4415-HF	文件：1.80721 Mbytes Page：4 Pages	P-Channel MOSFET ■Features ●VDS(V)=-30V ●ID=-8A(VGS=-20V) ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
AP4415GH	文件：180.79 Kbytes Page：6 Pages	P-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	A-POWER
AP4415GJ	文件：180.79 Kbytes Page：6 Pages	P-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	A-POWER
AP4415GM	文件：69.99 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	A-POWER
DTM4415	文件：286.42 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET	DINTEK Din-Tek Semiconductor	DINTEK
DTM4415	文件：1.52035 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET100RgTested	DINTEK Din-Tek Semiconductor	DINTEK

详细参数

型号：
AO4415
功能描述：
MOSFET P-CH 30V 8A 8SOIC
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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