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AO4438	文件：118.33 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO4438 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Standard Product AO4438 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AO4438L is a Green Product order 文件：118.33 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO4438	文件：1.83112 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • Optimized for “Low Side” Synchronous Rectifier Operation • 100 Rg and UIS Tested APPLICATIONS • CCFL Inverter 文件：1.83112 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
AO4438	文件：1.74689 Mbytes Page：4 Pages	60V N-Channel MOSFET General Description The AO4438 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Product Summary VDS (V) = 60V ID = 8.2A (VGS = 10V) RDS(ON) 文件：1.74689 Mbytes 页数：4 Pages	WHXPCB 万和兴电子	WHXPCB
AO4438	文件：694.9 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology Description： This N-Channel MOSFET uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(on) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Features： 1) VDS=60V,ID=8A,RDS(ON) 文件：694.9 Kbytes 页数：5 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
AO4438	文件：1.26337 Mbytes Page：4 Pages	丝印：4438；Package：SOP-8；N-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) = 60V ● ID = 8.2 A (VGS = 10V) ● RDS(ON) 文件：1.26337 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO4438	文件：326.44 Kbytes Page：4 Pages	60V N-Channel MOSFET 文件：326.44 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO4438	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET：N-Channel AOS pioneered the fab-lite model in the Trench Power MOSFET field, developing leading-edge products that are exclusively manufactured in state-of-the-art 8-inch fabs. Advanced proprietary silicon and packaging processes are designed in AOS’s U.S. headquarters and are then produced with its very effi	AOS 美国万代	AOS
AO4438	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-Channel Plastic-Encapsulate MOSFETS	XW 芯微半导体	XW
AO4438-HF	文件：1.47786 Mbytes Page：4 Pages	丝印：4438；Package：SOP-8；N-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) = 60V ● ID = 8.2 A (VGS = 10V) ● RDS(ON) 文件：1.47786 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO4438L	文件：118.33 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO4438 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Standard Product AO4438 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AO4438L is a Green Product order 文件：118.33 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD

技术参数

Status：
Last Time Buy
Recommended Replacement：
AO4266E
Package：
SOIC-8
Vds/V：
60
Vgs/V：
20
Id(A)(25℃)：
8.2
Id(A)(75℃)：
6.6
Pd(W)(25℃)：
3.1
Pd(W)(75℃)：
2
Rds (on) mΩ max(20V)：
0
Rds (on) mΩ max(10V)：
22
Rds (on) mΩ max(4.5V)：
27
Rds (on) mΩ max(1.8V)：
0
Rds (on) mΩ max(1.5V)：
0
Qg (nC)：
24.2

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