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AO4411	文件：114.41 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor GeneralDescription TheAO4411usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),andultra-lowlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.StandardProductAO4411isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AO4411LisaGreenPr	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO4411	文件：2.81923 Mbytes Page：6 Pages	30V P-Channel MOSFET GeneralDescription TheAO4411usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),andultra-lowlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications. ProductSummary VDS-30V ID(atVGS=-10V)	WHXPCBshenzhen wanhexing Electronics Co.,Ltd 万和兴电子深圳万和兴电子有限公司	WHXPCB
AO4411	文件：1.27134 Mbytes Page：4 Pages	P-Channel MOSFET ■Features ●VDS(V)=-30V ●ID=-8A(VGS=-10V) ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
AO4411	文件：959.71 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AO4411	文件：1.25334 Mbytes Page：5 Pages	P-Channel MOSFET uses advanced trench technology Description： ThisP-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(on)withlowgatecharge.Itcanbeusedinawidevarietyofapplications. Features： 1)VDS=-30V,ID=-8A,RDS(ON)	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
AO4411	文件：346.87 Kbytes Page：6 Pages	Marking：AO4411；Package：SOP-8；30V P-Channel MOSFET GeneralDescription TheAO4411usesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),andultra-lowlowgate charge.Thisdeviceissuitableforuseasaload switchorinPWMapplications.	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI
AO4411	文件：2.23127 Mbytes Page：4 Pages	Marking：4411；Package：SOP8；P-Channel Power MOSFET Application ReverseBatteryprotection »Loadswitch «Powermanagement PWMApplication	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
AO4411	文件：423.57 Kbytes Page：6 Pages	Marking：AO4411；Package：SOP-8；30V P-Channel MOSFET	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
AO4411	文件：614.45 Kbytes Page：6 Pages	30V P-Channel MOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO4411-HF	文件：1.48424 Mbytes Page：4 Pages	P-Channel MOSFET ■Features ●VDS(V)=-30V ●ID=-8A(VGS=-10V) ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN

详细参数

型号：
AO4411
功能描述：
MOSFET P CH 30V 8A SOIC 8
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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