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AO4427	文件：142.48 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO4427 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), and ultra-low low gate charge with a 25V gate rating. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. The device is ESD protected. Standard Product AO4427 is Pb-free (meets ROHS & 文件：142.48 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO4427	文件：1.50179 Mbytes Page：4 Pages	P-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) =-30V ● ID =-12.5 A (VGS =-20V) ● RDS(ON) 文件：1.50179 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO4427	文件：997.81 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Available • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • 100 UIS Tested APPLICATIONS • Load Switches - Notebook PCs - Desktop PCs 文件：997.81 Kbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
AO4427	文件：1.69995 Mbytes Page：4 Pages	30V P-Channel MOSFET General Description The AO4427 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), and ultra-low low gate charge with a 25V gate rating. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. The device is ESD protected. Product Summary VDS (V) = -30V I 文件：1.69995 Mbytes 页数：4 Pages	WHXPCB 万和兴电子	WHXPCB
AO4427	文件：174.72 Kbytes Page：4 Pages	30V P-Channel MOSFET 文件：174.72 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO4427	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET：P-Channel AOS pioneered the fab-lite model in the Trench Power MOSFET field, developing leading-edge products that are exclusively manufactured in state-of-the-art 8-inch fabs. Advanced proprietary silicon and packaging processes are designed in AOS’s U.S. headquarters and are then produced with its very effi	AOS 美国万代	AOS
AO4427-HF	文件：1.48065 Mbytes Page：4 Pages	P-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) =-30V ● ID =-12.5 A (VGS =-20V) ● RDS(ON) 文件：1.48065 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO4427L	文件：142.48 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO4427 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), and ultra-low low gate charge with a 25V gate rating. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. The device is ESD protected. Standard Product AO4427 is Pb-free (meets ROHS & 文件：142.48 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO4427_10	文件：174.72 Kbytes Page：4 Pages	30V P-Channel MOSFET 文件：174.72 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD

技术参数

Status：
Obsolete
Recommended Replacement：
AO4407A
Package：
SOIC-8
Configuration：
Single - P
Vds/V：
-30
Vgs/V：
25
Id(A)(25℃)：
-12.5
Id(A)(75℃)：
-10.5
Pd(W)(25℃)：
3
Pd(W)(75℃)：
2.1
Rds (on) mΩ max(10V)：
14
Rds (on) mΩ max(4.5V)：
0
Rds (on) mΩ max(2.5V)：
0
Rds (on) mΩ max(1.8V)：
0
Rds (on) mΩ max(1.5V)：
0
Qg (nC)：
41

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