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2SK3147STL-E	文件：94.2 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS=0.1 Ωtyp. • High speed switching • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source 文件：94.2 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK3147STL-E	文件：1.00819 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel 100 V (D-S) MOSFET 文件：1.00819 Mbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
2SK3147	文件：94.2 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS=0.1 Ωtyp. • High speed switching • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source 文件：94.2 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK3147	文件：54.02 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS= 0.1 Ω typ. • High speed switching • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source 文件：54.02 Kbytes 页数：9 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SK3147	文件：1.00819 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel 100 V (D-S) MOSFET 文件：1.00819 Mbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

更多2SK3147STL-E供应商更新时间2026-1-23 19:01:00