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2SJ540	文件：53.89 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 0.11 Ω typ. • Low drive current • 4 V gete drive devices • High speed switching 文件：53.89 Kbytes 页数：9 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SJ540	文件：89.82 Kbytes Page：8 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on)= 0.11 Ωtyp. • Low drive current • 4 V gate drive devices • High speed switching 文件：89.82 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SJ540-E	文件：89.82 Kbytes Page：8 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on)= 0.11 Ωtyp. • Low drive current • 4 V gate drive devices • High speed switching 文件：89.82 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SJ541	文件：88.15 Kbytes Page：8 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on) = 0.075 Ω typ. • Low drive current. • 4 V gate drive devices. • High speed switching. 文件：88.15 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SJ541	文件：53.31 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 0.075Ω typ. • Low drive current. • 4V gate drive devices. • High speed switching. 文件：53.31 Kbytes 页数：9 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SJ541-E	文件：88.15 Kbytes Page：8 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on) = 0.075 Ω typ. • Low drive current. • 4 V gate drive devices. • High speed switching. 文件：88.15 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SJ542	文件：87.91 Kbytes Page：8 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on) = 0.050 Ω typ. • Low drive current. • 4 V gate drive devices. • High speed switching. 文件：87.91 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SJ542	文件：52.91 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 0.050Ω typ. • Low drive current. • 4V gate drive devices. • High speed switching. 文件：52.91 Kbytes 页数：9 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SJ542-E	文件：87.91 Kbytes Page：8 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on) = 0.050 Ω typ. • Low drive current. • 4 V gate drive devices. • High speed switching. 文件：87.91 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SJ543	文件：88.41 Kbytes Page：8 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on) = 0.042 Ω typ. • Low drive current. • 4 V gate drive devices. • High speed switching. 文件：88.41 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

详细参数

型号：
2SJ54
制造商：
RENESAS
制造商全称：
Renesas Technology Corp
功能描述：
Silicon P Channel MOS FET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SJ54供应商更新时间2025-12-25 16:30:00

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