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2N7002KQ	文件：624.73 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Features LowOn-Resistance LowInputCapacitance FastSwitchingSpeed LowInput/OutputLeakage ESDProtectedUpTo2kV TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) The2N7002KQissuitableforautomotiveapplications requirings	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
2N7002KQB	文件：281.49 Kbytes Page：15 Pages	60VN-channelTrenchMOSFET 1.Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inanultrasmallDFN1110D-3 (SOT8015)leadlessSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFET technology. 2.Featuresandbenefits •Logic-levelcompatible •Sidewettableflanksforoptical	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
2N7002KT	文件：659.22 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET FEATURES: Gate-SourceESDProtected:1500V FastSwitchingSpeed LowOn-Resistance LowVoltageDriver APPLICATIONS: Drivers:Relays,Solenoids,Lamps,Hammers,Displays,Memories BatteryOperatedSystems PowerSupplyConverterCircuits Load/PowerSwitchi	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
2N7002KT	文件：169.65 Kbytes Page：3 Pages	ChannelEnhancementMOSFET FEATURES •LowGateChargeforFastSwitching. •ESDProtectedGate. APPLICATIONS •PowerManagementLoadSwitch •ESDProtected:1500V •Easilydesigneddrivecircuits	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2N7002KT	文件：169.65 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelEnhancementMOSFET	SECELECTRONICS SEC Electronics Inc.	SECELECTRONICS
2N7002KT	文件：1.23552 Mbytes Page：3 Pages	SOT-523Plastic-EncapsulateMosfets	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
2N7002KT	文件：716.72 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor Features •LowonresistanceRDS(ON) •Lowgatethresholdvoltage •Lowinputcapacitance •ESDprotectedupto2KV	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI
2N7002KTB	文件：117.39 Kbytes Page：5 Pages	60VN-ChannelEnhancementModeMOSFET-ESDProtected FEATURES •RDS(ON),VGS@10V,IDS@500mA=3Ω •RDS(ON),VGS@4.5V,IDS@200mA=4Ω •AdvancedTrenchProcessTechnology •HighDensityCellDesignForUltraLowOn-Resistance •VeryLowLeakageCurrentInOffCondition •SpeciallyDesignedforBatteryOperatedSystems,Solid-StateRelays	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
2N7002KTB	文件：158.48 Kbytes Page：7 Pages	60VN-ChannelEnhancementModeMOSFET-ESDProtected FEATURES •RDS(ON),VGS@10V,IDS@500mA=3Ω •RDS(ON),VGS@4.5V,IDS@200mA=4Ω •AdvancedTrenchProcessTechnology •HighDensityCellDesignForUltraLowOn-Resistance •VeryLowLeakageCurrentInOffCondition •SpeciallyDesignedforBatteryOperatedSystems,Solid-StateRelays Drivers:R	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
2N7002KU	文件：689.54 Kbytes Page：6 Pages	60VN-ChannelMOSFET Description Itutilizesthelatestprocessingtechniquestoachievethehighcelldensityandreducestheon-resistancewithhighrepetitiveavalancherating.Thesefeaturescombinetomakethisdesignanextremelyefficientandreliabledeviceforuseinpowerswitchingapplicationandawideva	Good-Ark GOOD-ARK Electronics	Good-Ark

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