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2SA1015	文件：1.22139 Mbytes Page：6 Pages	Silicon PNP transistor in a TO-92 Plastic Package Descriptions SiliconPNPtransistorinaTO-92PlasticPackage. Features Highvoltageandhighcurrent,excellenthFElinearity, lownoise,complementarypairwith2SC1815. Applications Audiofrequencygeneralpurpose, driverstageamplifierapplications.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司
2SA1015	文件：2.0101 Mbytes Page：3 Pages	PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor forswitchingandAFamplifierapplications. ThetransistorissubdividedintothreegroupsO,Y andG,accordingtoitsDCcurrentgain.As complementarytypetheNPNtransistor C1815isrecommended.	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時科广东時科微实业有限公司
2SA1015	文件：196.1 Kbytes Page：3 Pages	TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications DriverStageAmplifierApplications •Highvoltageandhighcurrent:VCEO=−50V(min), IC=−150mA(max) •ExcellenthFElinearity:hFE(2)=80(typ.)atVCE=−6V,IC=−150mA	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝
2SA1015	文件：154.23 Kbytes Page：2 Pages	PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor forswitchingandAFamplifierapplications. Thetransistorissubdividedintothreegroups,O,Y andG,L,accordingtoitsDCcurrentgain.As complementarytypetheNPNtransistor 2SC1815isrecommended.)	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司
2SA1015	文件：124.46 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Transistor DESCRIPTION •HighVoltageandHighCurrent Vceo=-50V(Min.),Ic=-150mA(Max) •ExcellenthFELinearity •LowNoise •ComplementtoType2SC1815 APPLICATIONS •AudiofrequencygeneralpurposeamplifierApplications •Driverstageamplifierapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
2SA1015	文件：290.79 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR (PNP) TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●Powerdissipation	KOOCHIN SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS CO., LTD.
2SA1015	文件：1.11619 Mbytes Page：2 Pages	Silicon Epitaxial Planar Transistor FEATURES ●ComplementaryTo2SC1815. ●ExcellentHFELinearity. ●Highvoltageandhighcurrent. ●Lownoise. ●Collector-EmittervoltageBVCEO=-50V. APPLICATIONS ●Lowfrequency,lownoiseamplifier.	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司
2SA1015	文件：156 Kbytes Page：2 Pages	PNP EPITAXIAL TYPE(AUDIO FREQUENCY GENERAL PURPOSE AMPLIFIER, DRIVER STAGE AMPLIFIER) AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications DriverStageAmplifierApplications •Highvoltageandhighcurrent:VCEO=−50V(min), IC=−150mA(max) •ExcellenthFElinearity:hFE(2)=80(typ.)atVCE=−6V,IC=−150mA	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝
2SA1015	文件：172.91 Kbytes Page：3 Pages	Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications Driver Stage Amplifier Applications AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications DriverStageAmplifierApplications •Highvoltageandhighcurrent:VCEO=−50V(min), IC=−150mA(max) •ExcellenthFElinearity:hFE(2)=80(typ.)atVCE=−6V,IC=−150mA	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝
2SA1015	文件：2.58913 Mbytes Page：3 Pages	TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR(PNP) ●Powerdissipation	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司
2SA1015	文件：128.06 Kbytes Page：2 Pages	PNP Epitaxial Planar Transistor PNPEpitaxialPlanarTransistor	FCI Amphenol ICC
2SA1015	文件：205.91 Kbytes Page：4 Pages	Silicon Epitaxial Planar Transistor FEATURES ●ComplementaryTo2SC1815. ●ExcellentHFELinearity. ●Highvoltageandhighcurrent. ●Lownoise. ●Collector-EmittervoltageBVCEO=-50V. APPLICATIONS ●Lowfrequency,lownoiseamplifier.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司
2SA1015	文件：452.4 Kbytes Page：3 Pages	PNP Transistors Features ●Highvoltageandhighcurrent VCEO:=-50V(min.),IC=-150mA(max.) ●Lowniose:NF=1dB(Typ.)atf=1KHz	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司
2SA1015	文件：123.73 Kbytes Page：2 Pages	High voltage and high current FEATURES Highvoltageandhighcurrent ExcellenthFELinearity Lowniose,ComplementarytoC1815	MAKOSEMI MAKO SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED
2SA1015	文件：816.39 Kbytes Page：5 Pages	TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●Powerdissipation	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd
2SA1015	文件：73.45 Kbytes Page：1 Pages	PNP SILICON TRANSISTOR 2SA1015isPNPsiliconplanartransistordesignedforaudiofrequencygeneralpurposeamplifierapplicationsanddriverstageamplifierapplications.	MICRO-ELECTRONICS Micro Electronics
2SA1015	文件：37.74 Kbytes Page：1 Pages	PNP Transistor Features ●Highvoltageandhighcurrent VCEO:=-50V(min.),IC=-150mA(max.) ●Lowniose:NF=1dB(Typ.)atf=1KHz	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司
2SA1015	文件：215.16 Kbytes Page：1 Pages	TECHNICAL SPECIFICATIONS OF PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description DesignedforuseindriverstageofAFamplifiergeneralpurposeamplification.	DCCOMDc Components 直流元件直流元件有限公司
2SA1015	文件：50.74 Kbytes Page：3 Pages	PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The2SA1015isdesignedforuseindriverstageofAFamplifierandgeneralpurposeamplification.	TGS Tiger Electronic Co.,Ltd
2SA1015	文件：176.91 Kbytes Page：3 Pages	Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications Driver Stage Amplifier Applications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝

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晶体管资料

型号：
2SA1015
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
通用型（Uni）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
50V
最大电流允许值：
0.15A
最大工作频率：
>80MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BC177,BC204,BC212,BC213,BC251,BC257,BC307,BC512,BC557,CG1015,CG673,
最大耗散功率：
0.4W
放大倍数：
图片代号：
A-39
vtest：
50
htest：
80000100
atest：
.15
wtest：
.4

详细参数

型号：
2SA1015
制造商：
Panasonic Industrial Company
功能描述：
TRANSISTOR

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SA1015供应商更新时间2024-4-28 14:06:00

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