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2SA1015	文件：300 bytes Page：1 Pages	小信号晶体管	ST 意法半导体	ST
2SA1015	文件：300 bytes Page：1 Pages	Bipolar Transistor	UTC 友顺	UTC
2SA1015GR	文件：73.45 Kbytes Page：1 Pages	PNP SILICON TRANSISTOR 2SA1015 is PNP silicon planar transistor designed for audio frequency general purpose amplifier applications and driver stage amplifier applications. 文件：73.45 Kbytes 页数：1 Pages	MICRO-ELECTRONICS	MICRO-ELECTRONICS
2SA1015-GR	文件：84.67 Kbytes Page：2 Pages	PNP Silicon Plastic-Encapsulate Transistor Features • Capable of 0.4Watts of Power Dissipation. • Collector-current: -0.15A • Collector-base Voltage: -50V • Operating and storage junction temperature range: -55°C to +125°C • Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating • Moisure Sensitivity Level 1 • Marking:A1015 • Lead Free Finish/R 文件：84.67 Kbytes 页数：2 Pages	MCC	MCC
2SA1015-H	文件：452.4 Kbytes Page：3 Pages	丝印：BA；Package：SOT-23；PNP Transistors Features ● High voltage and high current VCEO:=-50V(min.),IC=-150mA(max.) ● Low niose: NF=1dB(Typ.) at f=1KHz 文件：452.4 Kbytes 页数：3 Pages	YFWDIODE 佑风微	YFWDIODE
2SA1015K	文件：256.589 Kbytes Page：2 Pages	Plastic Encapsulate Transistors FEATURES . Power Dissipation PCM: 0.2 W ( Ta = 25 к) . Collector Current ICM: -0.15 A . Collector-Base Voltage V(BR)CBO: -50 V 文件：256.589 Kbytes 页数：2 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
2SA1015L	文件：153.07 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR (AUDIO FREQUENCY AMPLIFIER APPLICATIONS) Audio Frequency Amplifier Applications Low Noise Amplifier Applications • High voltage and high current: VCEO= −50 V (min), IC= −150 mA (max) • Excellent hFElinearity: hFE(2) = 80 (typ.) at VCE= −6 V, IC= −150 mA 文件：153.07 Kbytes 页数：2 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SA1015-L	文件：452.4 Kbytes Page：3 Pages	丝印：BAL；Package：SOT-23；PNP Transistors Features ● High voltage and high current VCEO:=-50V(min.),IC=-150mA(max.) ● Low niose: NF=1dB(Typ.) at f=1KHz 文件：452.4 Kbytes 页数：3 Pages	YFWDIODE 佑风微	YFWDIODE
2SA1015L-Y	文件：172.91 Kbytes Page：3 Pages	Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications Driver Stage Amplifier Applications Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications Driver Stage Amplifier Applications • High voltage and high current: VCEO = −50 V (min), IC = −150 mA (max) • Excellent hFE linearity: hFE (2) = 80 (typ.) at VCE = −6 V, IC = −150 mA 文件：172.91 Kbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SA1015-O	文件：84.67 Kbytes Page：2 Pages	PNP Silicon Plastic-Encapsulate Transistor Features • Capable of 0.4Watts of Power Dissipation. • Collector-current: -0.15A • Collector-base Voltage: -50V • Operating and storage junction temperature range: -55°C to +125°C • Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating • Moisure Sensitivity Level 1 • Marking:A1015 • Lead Free Finish/R 文件：84.67 Kbytes 页数：2 Pages	MCC	MCC

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晶体管资料

型号：
2SA1015
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
通用型（Uni）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
50V
最大电流允许值：
0.15A
最大工作频率：
>80MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BC177,BC204,BC212,BC213,BC251,BC257,BC307,BC512,BC557,CG1015,CG673,
最大耗散功率：
0.4W
放大倍数：
图片代号：
A-39
vtest：
50
htest：
80000100
atest：
0.15
wtest：
0.4

技术参数

PCM(W)：
0.4
IC(A)：
0.15
VCBO(V)：
50
VCEO(V)：
50
VEBO(V)：
5
hFEMin：
70
hFEMax：
400
hFE@VCE(V)：
6
hFE@IC(A)：
0.002
VCE(sat)(V)：
0.3
VCE(sat)\u001E@IC(A)：
0.1
VCE(sat)\u001E@IB(A)：
0.01
Package：
TO-92

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更多2SA1015供应商更新时间2026-4-17 13:34:00

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