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2SB1132	文件：59.18 Kbytes Page：4 Pages	MEDIUM POWER TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC 2SB1132is a epitaxial planar type PNP silicon transistor. FEATURES * Low VCE(SAT). VCE(SAT) = -0.2V(Typ.) (IC/IB= -500mA/-50mA) 文件：59.18 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC
2SB1132	文件：348.95 Kbytes Page：5 Pages	PNP Plastic-Encapsulate Transistors PNP Plastic-Encapsulate Transistors P/b Lead(Pb)-Free 文件：348.95 Kbytes 页数：5 Pages	WEITRON	WEITRON
2SB1132	文件：128.6 Kbytes Page：4 Pages	Medium Power Transistor Medium Power Transistor (-32V, -1A) Features 1) Low VCE(sat). VCE(sat)= -0.2V(Typ.) (IC / IB = -500mA / -50mA) 2) Compliments 2SD1664 / 2SD1858 Structure Epitaxial planar type PNP silicon transistor 文件：128.6 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SB1132	文件：179.26 Kbytes Page：5 Pages	Medium Power Transistor (-32V,??1A) Medium Power Transistor (-32V, -1A) Features 1) Low VCE(sat). VCE(sat)= -0.2V(Typ.) (IC / IB = -500mA / -50mA) 2) Compliments 2SD1664 / 2SD1858 Structure Epitaxial planar type PNP silicon transistor 文件：179.26 Kbytes 页数：5 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SB1132	文件：350.94 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR (PNP) FEATURES • Low VCE(sat): -0.2V(Typ) IC/IB=-500mA/-50mA • Compliments 2SD1664 文件：350.94 Kbytes 页数：3 Pages	HTSEMI 金誉半导体	HTSEMI
2SB1132	文件：162.61 Kbytes Page：3 Pages	PNP Silicon Medium Power Transistor FEATURES • Low power dissipation 0.5W 文件：162.61 Kbytes 页数：3 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
2SB1132	文件：352.68 Kbytes Page：3 Pages	Medium Power Transistor Features ● Low VCE(sat) ● Compliments to 2SD1664 文件：352.68 Kbytes 页数：3 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SB1132	文件：506.45 Kbytes Page：4 Pages	丝印：BAP；Package：SOT-89；PNP General Purpose Amplifier FEATURES Low VCE(SAT)=-0.2V(Typ.) (IC/IB=-500mA/-50mA). Complementary NPN type available 2SD1664. APPLICATIONS This device is designed as a general purpose amplifier and switching. 文件：506.45 Kbytes 页数：4 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
2SB1132	文件：75.61 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR (PNP) FEATURES Power dissipation PCM: 0.5 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: -1 A Collector-base voltage V(BR)CBO: -40 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：75.61 Kbytes 页数：1 Pages	WINNERJOIN 永而佳	WINNERJOIN
2SB1132	文件：546.48 Kbytes Page：3 Pages	SOT-89 Plastic-Encapsulate Transistors SOT-89 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (PNP) FEATURES • Low VCE(sat) • Pb-Free package is available RoHS product for packing code suffix G Halogen free product for packing code suffix H 文件：546.48 Kbytes 页数：3 Pages	WILLAS 威伦电子	WILLAS

晶体管资料

型号：
2SB1132
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
表面帖装型（SMD）_低频或音频放大（LF）_输出极
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
40V
最大电流允许值：
1A
最大工作频率：
150MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BCX51,BCX52,BCX53,2SA1203,2SA1364,2SB766,2SB766A,2SB1002,2SB1115,2SB1122,2SB1123,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
A-70
vtest：
40
htest：
150000000
atest：
1
wtest：
0

技术参数

Status：
新设计非推荐
封装：
MPT3
包装数量：
1000
最小独立包装数量：
1000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Grade：
Standard
Package Code：
SOT-89
JEITA Package：
SC-62
Package Size[mm]：
4.5x4.0 (t=1.5)
Number of terminal：
3
Polarity：
PNP
Collector Power dissipation PC[W]：
0.5
Collector-Emitter voltage VCEO1[V]：
-32.0
Collector current Io(Ic) [A]：
-1.0
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150

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更多2SB1132供应商更新时间2025-12-24 8:30:00

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