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2SB1132L-R-TN3-T	文件：59.18 Kbytes Page：4 Pages	MEDIUM POWER TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC 2SB1132is a epitaxial planar type PNP silicon transistor. FEATURES * Low VCE(SAT). VCE(SAT) = -0.2V(Typ.) (IC/IB= -500mA/-50mA) 文件：59.18 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC
2SB1132L-X-AB3-R	文件：59.18 Kbytes Page：4 Pages	MEDIUM POWER TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC 2SB1132is a epitaxial planar type PNP silicon transistor. FEATURES * Low VCE(SAT). VCE(SAT) = -0.2V(Typ.) (IC/IB= -500mA/-50mA) 文件：59.18 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC

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晶体管资料

型号：
2SB1132
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
表面帖装型（SMD）_低频或音频放大（LF）_输出极
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
40V
最大电流允许值：
1A
最大工作频率：
150MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BCX51,BCX52,BCX53,2SA1203,2SA1364,2SB766,2SB766A,2SB1002,2SB1115,2SB1122,2SB1123,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
A-70
vtest：
40
htest：
150000000
atest：
1
wtest：
0

技术参数

Status：
新设计非推荐
封装：
MPT3
包装数量：
1000
最小独立包装数量：
1000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Grade：
Standard
Package Code：
SOT-89
JEITA Package：
SC-62
Package Size[mm]：
4.5x4.0 (t=1.5)
Number of terminal：
3
Polarity：
PNP
Collector Power dissipation PC[W]：
0.5
Collector-Emitter voltage VCEO1[V]：
-32.0
Collector current Io(Ic) [A]：
-1.0
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150

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