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2SB1132L-R-AB3-R	文件：59.18 Kbytes Page：4 Pages	MEDIUM POWER TRANSISTOR DESCRIPTION TheUTC2SB1132isaepitaxialplanartypePNPsilicontransistor. FEATURES *LowVCE(SAT). VCE(SAT)=-0.2V(Typ.)(IC/IB=-500mA/-50mA)	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
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更多2SB1132L-R-AB3-R供应商更新时间2025-7-24 8:31:00