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CM150TU-12H	文件：51.38 Kbytes Page：4 Pages	HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE Description: Mitsubishi IGBT Modules are designed for use in switching applications. Each module consists of six IGBTs in a three phase bridge configuration, with each transistor having a reverse-connected superfast recovery free-wheel diode. All components and interconnects are isolated from the 文件：51.38 Kbytes 页数：4 Pages	MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱电机三菱电机株式会社
CM150TU-12H	文件：76.28 Kbytes Page：4 Pages	Six IGBTMOD 150 Amperes/600 Volts Description: Powerex IGBTMOD™ Modules are designed for use in switching applications. Each module consists of six IGBT Transistors in a three phase bridge configuration, with each transistor having a reverseconnected super-fast recovery free-wheel diode. All components and interconnects are isola 文件：76.28 Kbytes 页数：4 Pages	POWEREX Powerex Power Semiconductors
CM150TU-12H	文件：116.86 Kbytes Page：4 Pages	IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE 文件：116.86 Kbytes 页数：4 Pages	MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱电机三菱电机株式会社
CM150TU-12H	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power Modules-IGBT Modules U series CM150TU-12H	MITSUBISHIMitsubishi Electric Semiconductor 三菱电机三菱电机株式会社
CM150TU-12H_09	文件：116.86 Kbytes Page：4 Pages	IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE 文件：116.86 Kbytes 页数：4 Pages	MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱电机三菱电机株式会社
CM150TU-12H_12	文件：312.8 Kbytes Page：4 Pages	HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE 文件：312.8 Kbytes 页数：4 Pages	MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱电机三菱电机株式会社

技术参数

Collector-emitter voltage Max：
600V
Collector current Max：
150A
Configuration：
6-PACK
Isolation voltage：
2500Vrms

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