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2SA1797	文件：43.35 Kbytes Page：2 Pages	POWER TRANSISTOR POWER TRANSISTOR FEATURES * Low Saturation Voltage. VCE(SAT)=-0.35V(Max) at IC / IB=-1A / -50mA * Excellent DC Current Gain Characteristics 文件：43.35 Kbytes 页数：2 Pages	UTC 友顺	UTC
2SA1797	文件：99.48 Kbytes Page：3 Pages	Power Transistor (-50V, -3A) Power Transistor (-50V, -2A) Low Frequency Transistor (50V, 2A) 文件：99.48 Kbytes 页数：3 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SA1797	文件：171.34 Kbytes Page：3 Pages	丝印：AG；Package：MPT3；Power Transistor (??0V, ??A) Features 1) Low saturation voltage. VCE (sat) = −0.35V (Max.) at IC / IB = −1A / 50mA. 2) Excellent DC current gain characteristics. 3) Complements the 2SC4672. 文件：171.34 Kbytes 页数：3 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SA1797	文件：279.62 Kbytes Page：5 Pages	丝印：AG*；Package：SOT-89；PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor FEATURES ● Low saturation voltage VCE(sat)=-0.35V(Max.) (IC/IB=-1A/-0.5A). ● Excellent DC current gain characteristics. ● Complements the 2SA1797 and 2SC4672. ● MSL 3 APPLICATIONS ● Low frequency transistor. 文件：279.62 Kbytes 页数：5 Pages	BILIN 银河微电	BILIN
2SA1797	文件：294.46 Kbytes Page：5 Pages	丝印：AGP/AGQ；Package：SOT-89；PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor FEATURES  Low saturation voltage VCE(sat)=-0.35V(Max.) (IC/IB=-1A/-0.5A).  Excellent DC current gain characteristics.  Complements the 2SA1797 and 2SC4672.  MSL 3 APPLICATIONS  Low frequency transistor 文件：294.46 Kbytes 页数：5 Pages	BILIN 银河微电	BILIN
2SA1797	文件：2.88728 Mbytes Page：4 Pages	SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (PNP) FEATURES ● Low saturation voltage ● Excellent DC current gain characteristics ● Complements to 2SC4672 文件：2.88728 Mbytes 页数：4 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
2SA1797	文件：36.56 Kbytes Page：1 Pages	Power Transistor Features ● Low saturation voltage. VCE(sat)=-0.35V(Max.) at IC / IB=-1A/-50mA. ● Excellent DC current gain characteristics. ● Complements the 2SA1797 and 2SC4672. 文件：36.56 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SA1797	文件：496.21 Kbytes Page：2 Pages	PNP General Purpose Transistor FEATURES High transition frequency High power dissipation 文件：496.21 Kbytes 页数：2 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
2SA1797	文件：85.76 Kbytes Page：2 Pages	Power Transistor (-50V, -3A) Features 1) Low saturation voltage. VCE (sat) = -0.35V (Max.) at IC / IB = -1A / -50mA. 2) Excellent DC current gain characteristics. 4) Complements the 2SA1797. 文件：85.76 Kbytes 页数：2 Pages	SUNTAC	SUNTAC
2SA1797	文件：565.46 Kbytes Page：4 Pages	丝印：AGP；Package：SOT-89；PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor FEATURES Low saturation voltage VCE(sat)=-0.35V(Max.) (IC/IB=-1A/-0.5A). Excellent DC current gain characteristics. Complements the 2SA1797 and 2SC4672. APPLICATIONS Low frequency transistor. 文件：565.46 Kbytes 页数：4 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ

晶体管资料

型号：
2SA1797
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
表面帖装型（SMD）_低频或音频放大（LF）_LO_SAT
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
50V
最大电流允许值：
2A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
2SA1681,2SA1736,2SB1123,2SB1124,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-100
vtest：
50
htest：
999900
atest：
2
wtest：
0

技术参数

PCM(W)：
0.5
IC(A)：
2
VCBO(V)：
50
VCEO(V)：
50
VEBO(V)：
6
hFEMin：
82
hFEMax：
390
hFE@VCE(V)：
2
hFE@IC(A)：
0.5
VCE(sat)(V)：
0.35
VCE(sat)\u001E@IC(A)：
1
VCE(sat)\u001E@IB(A)：
0.05
Package：
SOT-89

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