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2SC1623	文件：60.97 Kbytes Page：6 Pages	AUDIO FREQUENCY GENERAL PURPOSE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MINI MOLD FEATURES •HighDCCurrentGain:hFE=200TYP. (VCE=6.0V,IC=1.0mA) •HighVoltage:VCEO=50V	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
2SC1623	文件：194.51 Kbytes Page：4 Pages	NPN General Purpose Transistors Lead(Pb)-Free	WEITRONWEITRON 威堂電子科技
2SC1623	文件：62.62 Kbytes Page：1 Pages	NPN Silicon Epitaxial Transistors Features •HalogenFree.“Green”Device(Note1) •MoistureSensitivityLevel1 •EpoxyMeetsUL94V-0FlammabilityRating •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixDesignatesRoHS Compliant.SeeOrderingInformation)	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司
2SC1623	文件：203.59 Kbytes Page：4 Pages	Silicon Epitaxial Planar Transistor FEATURES ●HighDCcurrentgain:hFE=200TYP (VCE=6.0V,IC=1.0mA) ●HighVoltage:VCEO=50V APPLICATIONS ●NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor ●Audiofrequencygeneralpurposeamplifier.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司
2SC1623	文件：67.21 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:200mW(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:100mA Collector-basevoltage V(BR)CBO:60V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	TEL TRANSYS Electronics Limited
2SC1623	文件：146.52 Kbytes Page：4 Pages	NPN Silicon Transistor Features ●HighDCCurrentGain: hFE=200TYP. VCE=6.0V,IC=1.0mA ●HighVoltage: VCEO=50V	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司
2SC1623	文件：148.97 Kbytes Page：2 Pages	NPN Epitaxial Planar Transistor DESCRIPTION The2SC1623isdesignedforusedriverstageofAFamplifierandgeneralpurposeapplication.	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH
2SC1623	文件：239.79 Kbytes Page：1 Pages	TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description Designedforaudiofrequencyamplifierapplications.	DCCOMDc Components 直流元件直流元件有限公司
2SC1623	文件：120.29 Kbytes Page：2 Pages	AUDIO FREQUENCY GENERAL PURPOSE AMPLIFIER NPN SILICON TRANSISTOR MINI MOLD DESCRIPTION TheUTC2SC1623isaNPNsilicontransistorusingUTC’sadvancedtechnologytoprovidecustomerswithhighDCcurrentgainandhighbreakdownvoltage.TheUTC2SC1623isusuallyusedinaudiofrequencygeneralpurposeamplifier. FEATURES HighbreakdownVoltage HighDCCurrentGai	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
2SC1623	文件：1.0753 Mbytes Page：2 Pages	Silicon Epitaxial Planar Transistor FEATURES ●HighDCcurrentgain:hFE=200TYP (VCE=6.0V,IC=1.0mA). ●HighVoltage:VCEO=50V. APPLICATIONS ●NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor. ●Audiofrequencygeneralpurposeamplifier.	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司
2SC1623	文件：842.8 Kbytes Page：4 Pages	SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●HighDCcurrentgain:hFE=200(Typ)VCE=6V,IC=1mA ●Highvoltage:VCEO=50V	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd
2SC1623	文件：2.39104 Mbytes Page：4 Pages	SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR(NPN) Features ●HighDCcurrentgain:hFE=200(Typ)VCE=6V,IC=1mA ●Highvoltage:VCEO=50V	HDSEMIJiangsu High diode Semiconductor Co., Ltd 苏海德半导体苏海德半导体有限公司
2SC1623	文件：190.94 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES HighDCcurrentgain:hFE=200(Typ)VCE=6V,IC=1mA Highvoltage:VCEO=50V	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰广东合科泰实业有限公司
2SC1623	文件：107.26 Kbytes Page：2 Pages	High DC current gain hFE 200(Typ)VCE 6V, IC 1mA FEATURES HighDCcurrentgain:hFE=200(Typ)VCE=6V,IC=1mA Highvoltage:VCEO=50V	MAKOSEMI MAKO SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED
2SC1623	文件：136.53 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR (NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:200mW(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:100mA Collector-basevoltage V(BR)CBO:60V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司
2SC1623	文件：2.34324 Mbytes Page：4 Pages	Silicon Epitaxial Planar Transistor FEATURES ●HighDCcurrentgain:hFE=200TYP (VCE=6.0V,IC=1.0mA) ●HighVoltage:VCEO=50V APPLICATIONS ●NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor ●Audiofrequencygeneralpurposeamplifier.	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時科广东時科微实业有限公司
2SC1623	文件：474.02 Kbytes Page：4 Pages	Silicon Epitaxial Planar Transistor FEATURES ●HighDCcurrentgain:hFE=200TYP (VCE=6.0V,IC=1.0mA) ●HighVoltage:VCEO=50V APPLICATIONS ●NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor ●Audiofrequencygeneralpurposeamplifier.	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司
2SC1623	文件：577.82 Kbytes Page：3 Pages	NPN Transistors Features ●HighDCCurrentGain: hFE=200TYP. VCE=6.0V,IC=1.0mA ●HighVoltage: VCEO=50V	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司
2SC1623	文件：1.46926 Mbytes Page：3 Pages	SOT-323 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES HighDCcurrentgain:hFE=200(Typ)VCE=6V,IC=1mA Highvoltage:VCEO=50V	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司
2SC1623	文件：557.06 Kbytes Page：3 Pages	SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES HighDCcurrentgain:hFE=200(Typ)VCE=6V,IC=1mA Highvoltage:VCEO=50V	UMWUMW 友台友台半导体

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晶体管资料

型号：
2SC1623
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
表面帖装型（SMD）_通用型（Uni）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
0.1A
最大工作频率：
250MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BC846,BCV71,BCV72,BCW71,BCW72,BCX70,2SC3323,3DG120C,9014LT1,
最大耗散功率：
0.2W
放大倍数：
图片代号：
H-15
vtest：
60
htest：
250000000
atest：
.1
wtest：
.2

详细参数

型号：
2SC1623
制造商：
Panasonic Industrial Company
功能描述：
TRANSISTOR

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市华斯顿科技有限公司	2SC1623	NEC	22+23+	SOT-23	134000	全新原装正品,优势公司现货绝对原装正品全新进口深圳现货	询价
深圳市欧立现代科技有限公司	2SC1623	NEC	22+	SMD	3800	原装现货,可开13%税票	询价
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	2SC1623	CJ/长晶	21+	SOT23	180000	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
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深圳市美思瑞电子科技有限公司	2SC1623	UMW 友台	23+	SOT-23-3	30000	原装正品，实单请联系	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	2SC1623	RENESAS/瑞萨	20+	SOT-23	120000	原装正品可含税交易	询价

更多2SC1623供应商更新时间2024-4-25 16:50:00

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