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2SC1623	文件：60.97 Kbytes Page：6 Pages	AUDIO FREQUENCY GENERAL PURPOSE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MINI MOLD FEATURES • High DC Current Gain: hFE = 200 TYP. (VCE = 6.0 V, IC = 1.0 mA) • High Voltage: VCEO = 50 V 文件：60.97 Kbytes 页数：6 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SC1623	文件：120.29 Kbytes Page：2 Pages	AUDIO FREQUENCY GENERAL PURPOSE AMPLIFIER NPN SILICON TRANSISTOR MINI MOLD DESCRIPTION The UTC 2SC1623is a NPN silicon transistor using UTC’s advanced technology to provide customers with high DC current gain and high breakdown voltage. The UTC 2SC1623is usually used in audio frequency general purpose amplifier. FEATURES * High breakdown Voltage * High DC Current Gai 文件：120.29 Kbytes 页数：2 Pages	UTC 友顺	UTC
2SC1623	文件：62.62 Kbytes Page：1 Pages	NPN Silicon Epitaxial Transistors Features • Halogen Free. “Green” Device (Note 1) • Moisture Sensitivity Level 1 • Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating • Lead Free Finish/RoHS Compliant (P Suffix Designates RoHS Compliant. See Ordering Information) 文件：62.62 Kbytes 页数：1 Pages	MCC	MCC
2SC1623	文件：194.51 Kbytes Page：4 Pages	丝印：L5；Package：SOT-23；NPN General Purpose Transistors Lead(Pb)-Free 文件：194.51 Kbytes 页数：4 Pages	WEITRON	WEITRON
2SC1623	文件：203.59 Kbytes Page：4 Pages	丝印：L4；Package：SOT-23；Silicon Epitaxial Planar Transistor FEATURES ● High DC current gain:hFE=200TYP (VCE=6.0V,IC=1.0mA) ● High Voltage:VCEO=50V APPLICATIONS ● NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor ● Audio frequency general purpose amplifier. 文件：203.59 Kbytes 页数：4 Pages	BILIN 银河微电	BILIN
2SC1623	文件：239.79 Kbytes Page：1 Pages	TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description Designed for audio frequency amplifier applications. 文件：239.79 Kbytes 页数：1 Pages	DCCOM 道全	DCCOM
2SC1623	文件：842.8 Kbytes Page：4 Pages	SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (NPN) FEATURES ● High DC current gain :hFE=200(Typ) VCE=6V,IC=1mA ● High voltage:VCEO=50V 文件：842.8 Kbytes 页数：4 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
2SC1623	文件：146.52 Kbytes Page：4 Pages	NPN Silicon Transistor Features ● High DC Current Gain: hFE = 200 TYP. VCE = 6.0 V, IC = 1.0 mA ● High Voltage: VCE O = 50 V 文件：146.52 Kbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SC1623	文件：474.02 Kbytes Page：4 Pages	丝印：L6；Package：SOT-23；Silicon Epitaxial Planar Transistor FEATURES ● High DC current gain:hFE=200TYP (VCE=6.0V,IC=1.0mA) ● High Voltage:VCEO=50V APPLICATIONS ● NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor ● Audio frequency general purpose amplifier. 文件：474.02 Kbytes 页数：4 Pages	LEIDITECH 雷卯电子	LEIDITECH
2SC1623	文件：148.97 Kbytes Page：2 Pages	NPN Epitaxial Planar Transistor DESCRIPTION The 2SC1623 is designed for use driver stage ofAF amplifier and general purpose application. 文件：148.97 Kbytes 页数：2 Pages	SECOS 喜可士	SECOS

技术参数

VCEO (V)：
50
IC @25 °C (A)：
0.1
VCE (sat) (V)：
0.3
hFE：
90-600
Pc (W)：
0.2
fT (Typical) (GHz)：
0.25
Cob (Typical) (pF)：
3

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