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2SB1184	文件：470.55 Kbytes Page：4 Pages	PNP PLASTIC ENCAPSULATE TRANSISTORS Features: * Low VCE(sat). VCE(sat) = -0.5V (Typ.) (IC/IB = -2A / -0.2A) 文件：470.55 Kbytes 页数：4 Pages	WEITRON	WEITRON
2SB1184	文件：129.36 Kbytes Page：3 Pages	Power Transistor (-60V, -3A) ● Features 1) Low VCE(sat). VCE(sat) = -0.5V (Typ.) (IC / IB = -2A / -0.2A) 2) Complements the 2SD1760 / 2SD1864 / 2SD1762. ● Structure Epitaxial planar type PNP silicon transistor 文件：129.36 Kbytes 页数：3 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SB1184	文件：333.09 Kbytes Page：3 Pages	isc Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION • Low VCE(sat) • Small and slim package • Complements the 2SD1760/2SD1864 • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS • Power dissipation 文件：333.09 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SB1184	文件：39.87 Kbytes Page：1 Pages	Power transistor Features ● Low VCE(sat). ● PNP silicon transistor. ● Epitaxial planar type 文件：39.87 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SB1184	文件：76.58 Kbytes Page：1 Pages	PNP Plastic Encapsulated Transistor FEATURES ● Designed for general ● Low VCE(sat) 文件：76.58 Kbytes 页数：1 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
2SB1184	文件：730.91 Kbytes Page：6 Pages	Silicon PNP transistor in a TO-252 Plastic Package. 文件：730.91 Kbytes 页数：6 Pages	FOSHAN 蓝箭电子	FOSHAN
2SB1184	文件：1.08954 Mbytes Page：4 Pages	TO-252-2L Plastic-Encapsulate Transistors 文件：1.08954 Mbytes 页数：4 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
2SB1184	文件：172.5 Kbytes Page：4 Pages	Power Transistor (-60V, -3A) 文件：172.5 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SB1184	文件：172.5 Kbytes Page：4 Pages	丝印：QR；Package：CPT3；Power Transistor (-60V, -3A) 文件：172.5 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SB1184	文件：95.47 Kbytes Page：4 Pages	Power Transistor (−60V, −3A) 文件：95.47 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM

晶体管资料

型号：
2SB1184
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
封装形式：
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
3A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
可代换的型号：
2SA1385,2SB906,2SB929,2SB1202,
最大耗散功率：
15W
放大倍数：
图片代号：
NO
vtest：
60
htest：
999900
atest：
3
wtest：
15

技术参数

Polarity：
PNP
PCM(W)：
1
IC(A)：
-3
VCBO(V)：
-60
VCEO(V)：
-50
VEBO(V)：
-5
hFEMin：
82
hFEMax：
390
hFE@VCE(V)：
-3
hFE@IC(A)：
-0.5
VCE(sat)(V)：
-1
VCE(sat)@IC(A)：
-2
VCE(sat)@IB(A)：
-0.2
Package：
TO-252-2L

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