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2SB1184	文件：244.61 Kbytes Page：3 Pages	丝印：TL；Package：CPT3；Power Transistor (-60V, -3A) 文件：244.61 Kbytes 页数：3 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SB1184	文件：172.5 Kbytes Page：4 Pages	Power Transistor (-60V, -3A) 文件：172.5 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SB1184	文件：300 bytes Page：1 Pages	Medium Power Transistor	Secos 喜可士	Secos
2SB1184	文件：300 bytes Page：1 Pages	双极型晶体管	LGE 鲁光电子	LGE
2SB1184	文件：300 bytes Page：1 Pages	50V,3A,Medium Power PNP Bipolar Transistor	Galaxy 银河微电	Galaxy
2SB1184F5	文件：175.71 Kbytes Page：3 Pages	Epitaxial Planar PNP Silicon Transistors Low collector saturation voltage: Voeea=-0.5V (Typj (lc/lB 一一 2A/ 一 0.2AJ Complementary pair with 2SD1760F5. 文件：175.71 Kbytes 页数：3 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SB1184-P	文件：596.28 Kbytes Page：4 Pages	PNP Silicon Epitaxial Transistors Features • Halogen free available upon request by adding suffix -HF • Lead Free Finish/RoHS Compliant (P Suffix designates RoHS Compliant. See ordering information) • Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating • Moisture Sensitivity Level 1 • Low Collector Saturation Voltage • Execllent curre 文件：596.28 Kbytes 页数：4 Pages	MCC	MCC
2SB1184-P	文件：76.58 Kbytes Page：1 Pages	PNP Plastic Encapsulated Transistor FEATURES ● Designed for general ● Low VCE(sat) 文件：76.58 Kbytes 页数：1 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
2SB1184-Q	文件：596.28 Kbytes Page：4 Pages	PNP Silicon Epitaxial Transistors Features • Halogen free available upon request by adding suffix -HF • Lead Free Finish/RoHS Compliant (P Suffix designates RoHS Compliant. See ordering information) • Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating • Moisture Sensitivity Level 1 • Low Collector Saturation Voltage • Execllent curre 文件：596.28 Kbytes 页数：4 Pages	MCC	MCC
2SB1184-Q	文件：76.58 Kbytes Page：1 Pages	PNP Plastic Encapsulated Transistor FEATURES ● Designed for general ● Low VCE(sat) 文件：76.58 Kbytes 页数：1 Pages	SECOS 喜可士	SECOS

晶体管资料

型号：
2SB1184
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
封装形式：
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
3A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
可代换的型号：
2SA1385,2SB906,2SB929,2SB1202,
最大耗散功率：
15W
放大倍数：
图片代号：
NO
vtest：
60
htest：
999900
atest：
3
wtest：
15

技术参数

Polarity：
PNP
PCM(W)：
1
IC(A)：
-3
VCBO(V)：
-60
VCEO(V)：
-50
VEBO(V)：
-5
hFEMin：
82
hFEMax：
390
hFE@VCE(V)：
-3
hFE@IC(A)：
-0.5
VCE(sat)(V)：
-1
VCE(sat)@IC(A)：
-2
VCE(sat)@IB(A)：
-0.2
Package：
TO-252-2L

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