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2SB857	文件：32.67 Kbytes Page：5 Pages	Silicon PNP Triple Diffused Application Low frequency power amplifier complementary pair with 2SD1133 and 2SD1134 文件：32.67 Kbytes 页数：5 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SB857	文件：46.15 Kbytes Page：4 Pages	SILICON PNP TRANSISTOR PNP SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION Low frequency power amplifier. 文件：46.15 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC
2SB857	文件：196.23 Kbytes Page：1 Pages	TECHNICAL SPECIFICATIONS OF PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description Designed for low frequency power amplifier. 文件：196.23 Kbytes 页数：1 Pages	DCCOM 道全	DCCOM
2SB857	文件：184.7 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220C package • Complement to type 2SD1133/1134 APPLICATIONS • Low frequency power amplifier 文件：184.7 Kbytes 页数：4 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SB857	文件：570.21 Kbytes Page：2 Pages	TO-220-3L Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (PNP) FEATURES ● Low Frequency Power Amplifier 文件：570.21 Kbytes 页数：2 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
2SB857	文件：239.9 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220C package • Complement to type 2SD1133/1134 APPLICATIONS • Low frequency power amplifier 文件：239.9 Kbytes 页数：4 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SB857	文件：34.71 Kbytes Page：3 Pages	PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description Low frequency power amplifier. 文件：34.71 Kbytes 页数：3 Pages	HSMC 华昕	HSMC
2SB857	文件：71.64 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION • Collector Current: lc= -4A • Low Collector Saturation Voltage :VCE(sat) = -1.0V(Max)@lc = -2A • High Collector Power Dissipation • Complement to Type 2SD1133 APPLICATIONS • Designed for low frequency power amplifier applications. 文件：71.64 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SB857	文件：134 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220C package • Complement to type 2SD1133/1134 APPLICATIONS • Low frequency power amplifier 文件：134 Kbytes 页数：4 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SB857	文件：948.45 Kbytes Page：6 Pages	Silicon PNP transistor in a TO-220 Plastic Package. Descriptions Silicon PNP transistor in a TO-220 Plastic Package. Features complementary pair with 2SD1133. Applications Low frequency power amplifier applications. 文件：948.45 Kbytes 页数：6 Pages	FOSHAN 蓝箭电子	FOSHAN

晶体管资料

型号：
2SB857
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
70V
最大电流允许值：
4A
最大工作频率：
15MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BD244A,BD244B,BD536,BD600,BD950,TIP42B,2SB690,3CD50C,
最大耗散功率：
40W
放大倍数：
图片代号：
B-10
vtest：
70
htest：
15000000
atest：
4
wtest：
40

技术参数

PCM(W)：
2
IC(A)：
4
VCBO(V)：
70
VCEO(V)：
50
VEBO(V)：
5
hFEMin：
60
hFEMax：
320
hFE@VCE(V)：
4
hFE@IC(A)：
1
VCE(sat)(V)：
1
VCE(sat)\u001E@IC(A)：
2
VCE(sat)\u001E@IB(A)：
0.2
Package：
TO-220-3L

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SB857供应商更新时间2026-1-22 20:02:00

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