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2SB1386	文件：200.91 Kbytes Page：5 Pages	LOW FREQUENCY PNP TRANSISTOR ■ FEATURES * Excellent DC current gain characteristics * Low VCE(SAT) VCE(SAT)= -0.35V (Typ) (IC/IB = -4A/-0.1A) 文件：200.91 Kbytes 页数：5 Pages	UTC 友顺	UTC
2SB1386	文件：151.05 Kbytes Page：6 Pages	Epitaxial Planar Transistor PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor PNP Silicon 文件：151.05 Kbytes 页数：6 Pages	WEITRON	WEITRON
2SB1386	文件：107.17 Kbytes Page：5 Pages	丝印：T100；Package：MPT3；Low Frequency Transistor(-20V,-5A) Features 1) Low VCE(sat). VCE(sat) = -0.35V (Typ.) (IC / IB = -4A / -0.1A) 2) Excellent DC current gain characteristics. 3) Complements the 2SD2098 / 2SD2118 / 2SD2097 / 2SD2166. 文件：107.17 Kbytes 页数：5 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SB1386	文件：185.79 Kbytes Page：4 Pages	丝印：BH*；Package：SOT-89；PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor FEATURES ● Low VCE(sat)=-0.35V(Typ.) (IC/IB=-4A/-0.1A). ● Excellent DC current gain characteristics. ● Complementary: 2SD2098. APPLICATIONS ● Low frequency transistor. 文件：185.79 Kbytes 页数：4 Pages	BILIN 银河微电	BILIN
2SB1386	文件：396.36 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR(PNP) FEATURES ● Low collector saturation voltage, ● Execllent current-to-gain characteristics 文件：396.36 Kbytes 页数：3 Pages	HTSEMI 金誉半导体	HTSEMI
2SB1386	文件：1.55454 Mbytes Page：4 Pages	SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (PNP) FEATURES ● Low collector saturation voltage ● Execllent current-to-gain characteristics 文件：1.55454 Mbytes 页数：4 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
2SB1386	文件：51.74 Kbytes Page：1 Pages	Low Frequency Transistor Features ● Low VCE(sat). VCE(sat) = -0.35V (Typ.) (IC/IB = -4A / -0.1A) ● Excellent DC current gain ● Epitaxial planar type ● PNP silicon transistor 文件：51.74 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SB1386	文件：1.95535 Mbytes Page：4 Pages	丝印：BHP；Package：SOT-89-3L；Low collector saturation voltage FEATURES ● Low collector saturation voltage ● Execllent current-to-gain characteristics 文件：1.95535 Mbytes 页数：4 Pages	LEIDITECH 雷卯电子	LEIDITECH
2SB1386	文件：112.23 Kbytes Page：3 Pages	PNP Silicon Low Frequency Transistor FEATURES ● Low VCE(sat) ● Excellent DC current gain characteristics ● Complements the 2SD2098 文件：112.23 Kbytes 页数：3 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
2SB1386	文件：490.25 Kbytes Page：4 Pages	丝印：BHP；Package：SOT-89；PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor FEATURES Low VCE(sat)=-0.35V(Typ.) (IC/IB=-4A/-0.1A). Excellent DC current gain characteristics. Complementary: 2SD2098. APPLICATIONS Low frequency transistor. 文件：490.25 Kbytes 页数：4 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ

晶体管资料

型号：
2SB1386
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
表面帖装型（SMD）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
30V
最大电流允许值：
5A
最大工作频率：
120MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SB1302,2SB1308,
最大耗散功率：
0.75W
放大倍数：
图片代号：
H-100
vtest：
30
htest：
120000000
atest：
5
wtest：
0.75

技术参数

PCM(W)：
0.5
IC(A)：
5
VCBO(V)：
30
VCEO(V)：
20
VEBO(V)：
6
hFEMin：
82
hFEMax：
390
hFE@VCE(V)：
2
hFE@IC(A)：
0.5
VCE(sat)(V)：
1
VCE(sat)\u001E@IC(A)：
4
VCE(sat)\u001E@IB(A)：
0.1
Package：
SOT-89

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