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2SB1386L-R-AB3-E-R	文件：200.91 Kbytes Page：5 Pages	LOW FREQUENCY PNP TRANSISTOR ■ FEATURES * Excellent DC current gain characteristics * Low VCE(SAT) VCE(SAT)= -0.35V (Typ) (IC/IB = -4A/-0.1A) 文件：200.91 Kbytes 页数：5 Pages	UTC 友顺	UTC
2SB1386L-X-AB3-F-R	文件：200.91 Kbytes Page：5 Pages	LOW FREQUENCY PNP TRANSISTOR ■ FEATURES * Excellent DC current gain characteristics * Low VCE(SAT) VCE(SAT)= -0.35V (Typ) (IC/IB = -4A/-0.1A) 文件：200.91 Kbytes 页数：5 Pages	UTC 友顺	UTC
2SB1386-P	文件：376.17 Kbytes Page：4 Pages	PNP Silicon Epitaxial Transistors Features • Low Collector Saturation Voltage • Execllent current-to-gain characteristics • Lead Free Finish/RoHS Compliant (P Suffix designates RoHS Compliant. See ordering information) • Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating • Moisure Sensitivity Level 1 • Halogen free available upon 文件：376.17 Kbytes 页数：4 Pages	MCC	MCC
2SB1386-P	文件：786.02 Kbytes Page：4 Pages	丝印：BHP*；Package：SOT-89；PNP Transistors Features ● Low VCE(sat). VCE(sat) = -0.35V (Typ.) (IC/IB = -4A / -0.1A) ● Excellent DC current gain ● Epitaxial planar type ● PNP silicon transistor 文件：786.02 Kbytes 页数：4 Pages	YFWDIODE 佑风微	YFWDIODE
2SB1386-P-AB3-B-R	文件：200.91 Kbytes Page：5 Pages	LOW FREQUENCY PNP TRANSISTOR ■ FEATURES * Excellent DC current gain characteristics * Low VCE(SAT) VCE(SAT)= -0.35V (Typ) (IC/IB = -4A/-0.1A) 文件：200.91 Kbytes 页数：5 Pages	UTC 友顺	UTC
2SB1386-P-AB3-C-R	文件：200.91 Kbytes Page：5 Pages	LOW FREQUENCY PNP TRANSISTOR ■ FEATURES * Excellent DC current gain characteristics * Low VCE(SAT) VCE(SAT)= -0.35V (Typ) (IC/IB = -4A/-0.1A) 文件：200.91 Kbytes 页数：5 Pages	UTC 友顺	UTC
2SB1386-P-AB3-E-R	文件：200.91 Kbytes Page：5 Pages	LOW FREQUENCY PNP TRANSISTOR ■ FEATURES * Excellent DC current gain characteristics * Low VCE(SAT) VCE(SAT)= -0.35V (Typ) (IC/IB = -4A/-0.1A) 文件：200.91 Kbytes 页数：5 Pages	UTC 友顺	UTC
2SB1386PPT	文件：389.69 Kbytes Page：3 Pages	PNP Epitaxial Transistor VOLTAGE 20 Volts CURRENT 5 Amperes FEATURE * Small flat package. (DPAK) * Low saturation voltage VCE(sat)=-0.35V(Typ.)(IC/IB=-4A/-0.1A) * High saturation current capability. APPLICATION * Power driver and Strobe Flash . 文件：389.69 Kbytes 页数：3 Pages	CHENMKO 力勤	CHENMKO
2SB1386PT	文件：159.95 Kbytes Page：3 Pages	PNP Epitaxial Transistor VOLTAGE 20 Volts CURRENT 5 Amperes FEATURE * Small flat package. (SC-62/SOT-89) * Low saturation voltage VCE(sat)=-0.35V(Typ.)(IC/IB=-4A/-0.1A) * PC= 2.0W (mounted on ceramic substrate). * High saturation current capability. APPLICATION * Power driver and Strobe Flash 文件：159.95 Kbytes 页数：3 Pages	CHENMKO 力勤	CHENMKO
2SB1386-Q	文件：376.17 Kbytes Page：4 Pages	PNP Silicon Epitaxial Transistors Features • Low Collector Saturation Voltage • Execllent current-to-gain characteristics • Lead Free Finish/RoHS Compliant (P Suffix designates RoHS Compliant. See ordering information) • Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating • Moisure Sensitivity Level 1 • Halogen free available upon 文件：376.17 Kbytes 页数：4 Pages	MCC	MCC

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晶体管资料

型号：
2SB1386
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
表面帖装型（SMD）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
30V
最大电流允许值：
5A
最大工作频率：
120MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SB1302,2SB1308,
最大耗散功率：
0.75W
放大倍数：
图片代号：
H-100
vtest：
30
htest：
120000000
atest：
5
wtest：
0.75

技术参数

PCM(W)：
0.5
IC(A)：
5
VCBO(V)：
30
VCEO(V)：
20
VEBO(V)：
6
hFEMin：
82
hFEMax：
390
hFE@VCE(V)：
2
hFE@IC(A)：
0.5
VCE(sat)(V)：
1
VCE(sat)\u001E@IC(A)：
4
VCE(sat)\u001E@IB(A)：
0.1
Package：
SOT-89

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SB1386供应商更新时间2025-12-24 19:59:00

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