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2SB1386SQ

丝印:BAP;Package:SOT-89;PNP Transistor

文件:731.12 Kbytes 页数:3 Pages

PJSEMI

平晶半导体

2SB1386-P-TP

Package:TO-243AA;包装:带盒(TB) 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP 20V 5A SOT89

Micro Commercial Co

Micro Commercial Co

2SB1386T100Q

Package:TO-243AA;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP 20V 5A MPT3

ROHM

罗姆

2SB1386T100R

Package:TO-243AA;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP 20V 5A MPT3

ROHM

罗姆

晶体管资料

  • 型号:

    2SB1386

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-PNP

  • 性质:

    表面帖装型 (SMD)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    30V

  • 最大电流允许值:

    5A

  • 最大工作频率:

    120MHZ

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    2SB1302,2SB1308,

  • 最大耗散功率:

    0.75W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    H-100

  • vtest:

    30

  • htest:

    120000000

  • atest:

    5

  • wtest:

    0.75

技术参数

  • PCM(W):

    0.5

  • IC(A):

    5

  • VCBO(V):

    30

  • VCEO(V):

    20

  • VEBO(V):

    6

  • hFEMin:

    82

  • hFEMax:

    390

  • hFE@VCE(V):

    2

  • hFE@IC(A):

    0.5

  • VCE(sat)(V):

    1

  • VCE(sat)\u001E@IC(A):

    4

  • VCE(sat)\u001E@IB(A):

    0.1

  • Package:

    SOT-89

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