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2N7002BKT	文件：460.37 Kbytes Page：17 Pages	60V,290mAN-channelTrenchMOSFET 1.1Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inasmallSOT416(SC-75) Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 1.2Featuresandbenefits Logic-levelcompatible Veryfastswitching TrenchMOSFETtechnology ESDprote	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
2N7002BKV	文件：379.26 Kbytes Page：16 Pages	60V,340mAdualN-channelTrenchMOSFET Generaldescription DualN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inanultrasmallSOT666Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. Featuresandbenefits Logic-levelcompatible Veryfastswitching TrenchMOSFETtechnology	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
2N7002BKV	文件：945.69 Kbytes Page：3 Pages	60VDualN-ChannelEnhancementModeMOSFET Features ●Fastswitching ●GreenDeviceAvailable ●Suitfor1.5VGateDriveApplications	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
2N7002BKV	文件：281.69 Kbytes Page：14 Pages	60V,340mAdualN-channelTrenchMOSFET 1.Generaldescription DualN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inanultrasmallSOT666 Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits •Logic-levelcompatible •Veryfastswitching •TrenchMOSFETtechnology •ESD	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
2N7002BKW	文件：164.5 Kbytes Page：16 Pages	60V,310mAN-channelTrenchMOSFET Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inasmallSOT323(SC-70)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. Featuresandbenefits Logic-levelcompatible Veryfastswitching TrenchMOSFETtechnology E	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
2N7002BKW	文件：1.74836 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
2N7002BKW	文件：724.88 Kbytes Page：16 Pages	60V,310mAN-channelTrenchMOSFET 1.1Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inasmallSOT323(SC-70) Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 1.2Featuresandbenefits Logic-levelcompatible Veryfastswitching TrenchMOSFETtechnology ESDpro	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
2N7002BKW	文件：286.36 Kbytes Page：15 Pages	60V,310mAN-channelTrenchMOSFET 1.Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inasmallSOT323(SC-70)Surface- MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits •Logic-levelcompatible •Veryfastswitching •TrenchMOSFETtechnology •ESD	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
2N7002-CAR	文件：458.28 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffect TransistorFeatures •HighdensitycelldesignforlowRDS(ON)•Voltagecontrolledsmallsignalswitching•Highsaturationcurrentcapability•Highspeedswitching•-CARforautomotiveandotherapplicationsrequiringuniquesiteandcontrolchangerequirements;AEC-Q101qualifiedandPPAPcapable	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI
2N7002CK	文件：83.83 Kbytes Page：13 Pages	60V,0.3AN-channelTrenchMOSFET Generaldescription ESDprotectedN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inasmallSOT23(TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. Features ●Logic-levelcompatible ●Veryfastswitching ●TrenchMOSFETtechnology ●ESDprotect	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp

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