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2N7002CSM	文件：14.46 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSTRANSISTOR	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
2N7002D	文件：502.66 Kbytes Page：6 Pages	60VN-ChannelMOSFET	CITCChip Integration Technology Corporation 竹懋科技竹懋科技股份有限公司	CITC
2N7002DCSM	文件：20.67 Kbytes Page：2 Pages	DUALN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSTRANSISTOR	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
2N7002DSPT	文件：246.6 Kbytes Page：5 Pages	DualN-ChannelEnhancementMOSFET	CHENMKOCHENMKO ENTERPRISE CO., LTD. 力勤力勤股份有限公司	CHENMKO
2N7002DW	文件：114.22 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-EncapsulatedTransistors MOSFET(N-Channel) FEATURES Powerdissipation PD:0.2W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ID:115mA Collector-basevoltage VDS:60V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
2N7002DW	文件：164.84 Kbytes Page：5 Pages	60VN-ChannelEnhancementModeMOSFET	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
2N7002DW	文件：172.69 Kbytes Page：5 Pages	60VN-ChannelEnhancementModeMOSFET DUALN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFETS Thisspace-efficientdevicecontainstwoelectrically-isolatedN-Channelenhancement-modeMOSFETs.ItcomesinaverysmallSOT-363(SC70-6L)package.Thisdeviceisidealforportableapplicationswhereboardspaceisatapremium. FEATURES ●LowOn-Re	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
2N7002DW	文件：66.24 Kbytes Page：3 Pages	DUALN-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR Description ThisMOSFEThasbeendesignedtominimizetheon-stateresistance(Rds(ON))andyetmaintainsuperiorswitchingperformance,makingitidealforhighefficiencypowermanagementapplications. Features •DualN-ChannelMOSFET •LowOn-Resistance •LowGateThresholdVoltage •Lo	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
2N7002DW	文件：77.92 Kbytes Page：3 Pages	DualN-ChannelMOSFET Features: LowOn-Resistance:7.5Ω LowInputCapacitance:22PF LowOutputCapacitance:11PF LowThreshole:1.5V(TYE) FastSwitchingSpeed:11ns MechanicalData: Case:SOT-363,MoldedPlastic CaseMaterial-ULFlammabilityRating94V-0 Terminals:SolderableperMIL-STD-	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
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