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2N7002BKV	文件：379.26 Kbytes Page：16 Pages	丝印：ZG；Package：SOT-666；60 V, 340 mA dual N-channel Trench MOSFET General description Dual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in an ultra small SOT666 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. Features and benefits Logic-level compatible Very fast switching Trench MOSFETtechnology 文件：379.26 Kbytes 页数：16 Pages	恩XP	恩XP
2N7002BKV	文件：281.69 Kbytes Page：14 Pages	丝印：ZG；Package：SOT666；60 V, 340 mA dual N-channel Trench MOSFET 1. General description Dual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in an ultra small SOT666 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Logic-level compatible • Very fast switching • Trench MOSFET technology • ESD 文件：281.69 Kbytes 页数：14 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
2N7002BKV	文件：945.69 Kbytes Page：3 Pages	60V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features ● Fast switching ● Green Device Available ● Suit for 1.5V Gate Drive Applications 文件：945.69 Kbytes 页数：3 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
2N7002BKV_15	文件：379.26 Kbytes Page：16 Pages	丝印：ZG；Package：SOT-666；60 V, 340 mA dual N-channel Trench MOSFET 文件：379.26 Kbytes 页数：16 Pages	PHI 飞利浦	PHI
2N7002BKV	文件：300 bytes Page：1 Pages	60 V, 340 mA dual N-channel Trench MOSFET General description\nDual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in an ultra small SOT666 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.Features and benefits\n Logic-level compatible\n Very fast switching\n Trench MOSFETtechnology\n ESD protection	恩XP	恩XP
2N7002BKV	文件：300 bytes Page：1 Pages	60 V, 340 mA dual N-channel Trench MOSFET Dual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in an ultra small SOT666 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. • Logic-level compatible\n• Very fast switching\n• Trench MOSFET technology\n• ESD protection up to 2 kV\n• AEC-Q101 qualified;	Nexperia 安世	Nexperia

技术参数

Package name：
SOT666
Product status：
Production
Channel type：
N
Nr of transistors：
2
VDS [max] (V)：
60
VGS [max] (V)：
20
RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ)：
1600
RDSon [max] @ VGS = 5 V (mΩ)：
2000
integrated gate-source ESD protection diodes：
Y
VESD HBM (V)：
2000
Tj [max] (°C)：
150
ID [max] (A)：
0.34
QGD [typ] (nC)：
0.1
QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)：
0.5
Ptot [max] (W)：
0.525
VGSth [typ] (V)：
1.6
Automotive qualified：
N
Ciss [typ] (pF)：
33
Coss [typ] (pF)：
7
Release date：
2011-01-24

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