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2N7002CK	文件：83.83 Kbytes Page：13 Pages	丝印：LP-；Package：SOT-23；60 V, 0.3 A N-channel Trench MOSFET General description ESD protected N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. Features ● Logic-level compatible ● Very fast switching ● Trench MOSFET technology ● ESD protect 文件：83.83 Kbytes 页数：13 Pages	恩XP	恩XP
2N7002CK_15	文件：83.83 Kbytes Page：13 Pages	60 V, 0.3 A N-channel Trench MOSFET 文件：83.83 Kbytes 页数：13 Pages	PHI 飞利浦	PHI
2N7002CK	文件：300 bytes Page：1 Pages	60 V, 0.3 A N-channel Trench MOSFET ESD protected N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. • ESD protection up to 3 kV\n• Logic-level compatible\n• Trench MOSFET technology\n• Very fast switching\n• AEC-Q101 qualified;	Nexperia 安世	Nexperia
2N7002CSM	文件：14.46 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOS TRANSISTOR 文件：14.46 Kbytes 页数：2 Pages	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
2N7002D	文件：502.66 Kbytes Page：6 Pages	60V N-Channel MOSFET 文件：502.66 Kbytes 页数：6 Pages	CITC 竹懋科技	CITC
2N7002DCSM	文件：20.67 Kbytes Page：2 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOS TRANSISTOR 文件：20.67 Kbytes 页数：2 Pages	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB

技术参数

Package name：
TO-236AB
Product status：
Production
Number of transistors：
1
V_DS [max] (V)：
60
R_DSon [max] @ V_GS = 10 V (mΩ)：
1600
R_DSon [max] @ V_GS = 4.5 V (mΩ)：
3000
T_j [max] (°C)：
150
Q_GD [typ] (nC)：
0.23
Q_G(tot) [typ] @ V_GS = 4.5 V (nC)：
1.09
P_tot [max] (W)：
0.35
V_GSth [typ] (V)：
1.75
Automotive qualified：
Y
Date：
2011-01-24

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