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2N6520	文件：51.19 Kbytes Page：3 Pages	PNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description The2N6520isdesignedforgeneralpurposeapplicationsrequiringhighbreakdownvoltages. Features •HighCollector-EmitterBreakdownVoltage. •LowCollector-EmitterSaturationVoltage. •The2N6520iscomplementaryto2N6517.	TGS Tiger Electronic Co.,Ltd	TGS
2N6520	文件：242.86 Kbytes Page：2 Pages	PNPPlasticEncapsulatedTransistor FEATURES ●Highvoltagetransistors	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2N6520	文件：295.96 Kbytes Page：7 Pages	HighVoltageTransistor625mW	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
2N6520	文件：214.27 Kbytes Page：1 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFPNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description Designedforapplicationsrequiringhighbreakdownvoltage.	DCCOM Dc Components	DCCOM
2N6520	文件：118.01 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-EncapsulatedTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES PowerdissipationPCM:0.625W(Tamb=25℃) CollectorcurrentICM:-0.5A Collector-basevoltageV(BR)CBO:-350V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ,Tstg:-55℃to+150℃	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
2N6520	文件：101.59 Kbytes Page：8 Pages	HighVoltageTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N6520	文件：109.18 Kbytes Page：3 Pages	HIGHVOLTAGETRANSISTOR	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2N6520	文件：427.63 Kbytes Page：6 Pages	HighVoltageTransistor625mW Features •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1 •ThroughHolePackage •150°CJunctionTemperature •VoltageandCurrentarenegativeforPNPtrans	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
2N6520	文件：70.96 Kbytes Page：5 Pages	PNPEpitaxialSiliconTransistor Features •HighVoltageTransistor •Collector-EmitterVoltage:VCBO=-350V •CollectorDissipation:PC(max)=625mW •Complementto2N6517	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
2N6520	文件：105.88 Kbytes Page：3 Pages	PNPEPITAXIALSILICONTRANSISTOR HIGHVOLTAGETRANSISTOR	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung

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