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STB24N60DM2	文件：1.20083 Mbytes Page：21 Pages	丝印：24N60DM2；Package：D2PAK；N-channel 600 V, 0.175 (ohm) typ., 18 A FDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in D2PAK, TO-220 and TO-247 packages Description These FDmesh II Plus™ low Qg Power MOSFETs with intrinsic fast-recovery body diode are produced using a new generation of MDmesh™ technology: MDmesh II Plus™ low Qg. These revolutionary Power MOSFETs associate a vertical structure to the companys strip layout to yield one of the world 文件：1.20083 Mbytes 页数：21 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STP24N60DM2	文件：1.20083 Mbytes Page：21 Pages	丝印：24N60DM2；Package：TO-220；N-channel 600 V, 0.175 (ohm) typ., 18 A FDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in D2PAK, TO-220 and TO-247 packages Description These FDmesh II Plus™ low Qg Power MOSFETs with intrinsic fast-recovery body diode are produced using a new generation of MDmesh™ technology: MDmesh II Plus™ low Qg. These revolutionary Power MOSFETs associate a vertical structure to the companys strip layout to yield one of the world 文件：1.20083 Mbytes 页数：21 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STW24N60DM2	文件：1.20083 Mbytes Page：21 Pages	丝印：24N60DM2；Package：TO-247；N-channel 600 V, 0.175 (ohm) typ., 18 A FDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in D2PAK, TO-220 and TO-247 packages Description These FDmesh II Plus™ low Qg Power MOSFETs with intrinsic fast-recovery body diode are produced using a new generation of MDmesh™ technology: MDmesh II Plus™ low Qg. These revolutionary Power MOSFETs associate a vertical structure to the companys strip layout to yield one of the world 文件：1.20083 Mbytes 页数：21 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STF24N60DM2	文件：821.22 Kbytes Page：13 Pages	Extremely high dv/dt ruggedness 文件：821.22 Kbytes 页数：13 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STL24N60DM2	文件：812.39 Kbytes Page：15 Pages	N-channel 600 V, 0.195 (ohm) typ., 15 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package 文件：812.39 Kbytes 页数：15 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STW24N60DM2	文件：1.20083 Mbytes Page：21 Pages	N-channel 600 V, 0.175 (ohm) typ., 18 A FDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in D2PAK, TO-220 and TO-247 packages Description These FDmesh II Plus™ low Qg Power MOSFETs with intrinsic fast-recovery body diode are produced using a new generation of MDmesh™ technology: MDmesh II Plus™ low Qg. These revolutionary Power MOSFETs associate a vertical structure to the companys strip layout to yield one of the world 文件：1.20083 Mbytes 页数：21 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

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