isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 180A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 2.7mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC

文件：333.06 Kbytes 页数：2 Pages

ISC

无锡固电

High avalanche ruggedness

文件：565.51 Kbytes 页数：13 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

汽车级N沟道100 V、2.3 mOhm典型值、180 A STripFET F7功率MOSFET，TO-220封装

该N-沟道功率MOSFET利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构，可降低通态电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，从而使开关速度更快、能效更高。 • 专为汽车应用设计并通过AEC-Q101认证 \n• 处于市面上最低的 RDS(on) 行列 \n• 出色的品质因数（FoM） \n• 较低的Crss/Ciss 比值使得其具有更强的抗EMI能力 \n• 坚固的抗雪崩能力;

ST

意法半导体

High avalanche ruggedness

文件：565.51 Kbytes 页数：13 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

Aerospace and defense N-channel 100 V

文件：822.55 Kbytes 页数：13 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体