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STP5N52K3	文件：1.19927 Mbytes Page：23 Pages	N-channel 525 V, 1.2 ohm, 4.4 A SuperMESH3 Power MOSFET Description ThesedevicesaremadeusingtheSuperMESH3™PowerMOSFETtechnologythatisobtainedviaimprovementsappliedtoSTMicroelectronics’SuperMESH™technologycombinedwithanewoptimizedverticalstructure.Theresultingproducthasanextremelylowonresistance,superiordynamicperf	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STP5N52K3	文件：1.18185 Mbytes Page：23 Pages	N-channel 525 V, 1.2 ohm, 4.4 A SuperMESH3 Power MOSFET Description ThesedevicesaremadeusingtheSuperMESH3™PowerMOSFETtechnologythatisobtainedviaimprovementsappliedtoSTMicroelectronics’SuperMESH™technologycombinedwithanewoptimizedverticalstructure.Theresultingproducthasanextremelylowonresistance,superiordynamicperf	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STP5N52K3	文件：1.19927 Mbytes Page：23 Pages	N-channel 525 V, 1.2 廓, 4.4 A SuperMESH3??Power MOSFET D짼PAK, DPAK, TO-220FP, TO-220, IPAK	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
STU5N52K3	文件：317.45 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=4.4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=525V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.5Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STU5N52K3	文件：1.19927 Mbytes Page：23 Pages	N-channel525V,1.2ohm,4.4ASuperMESH3PowerMOSFET Description ThesedevicesaremadeusingtheSuperMESH3™PowerMOSFETtechnologythatisobtainedviaimprovementsappliedtoSTMicroelectronics’SuperMESH™technologycombinedwithanewoptimizedverticalstructure.Theresultingproducthasanextremelylowonresistance,superiordynamicperf	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STU5N52K3	文件：1.18185 Mbytes Page：23 Pages	N-channel525V,1.2ohm,4.4ASuperMESH3PowerMOSFET Description ThesedevicesaremadeusingtheSuperMESH3™PowerMOSFETtechnologythatisobtainedviaimprovementsappliedtoSTMicroelectronics’SuperMESH™technologycombinedwithanewoptimizedverticalstructure.Theresultingproducthasanextremelylowonresistance,superiordynamicperf	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
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详细参数

型号：
STP5N52K3
功能描述：
MOSFET N-Ch 525V 1.2 ohm 4.4 A SuperMESH3
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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