STP24N60DM2规格书行情报价意法半导体-114ic电子网

首页 >STP24N60DM2>规格书列表

型号	下载订购	功能描述	制造商上传企业	LOGO
STP24N60DM2	文件：1.20083 Mbytes Page：21 Pages	丝印：24N60DM2；Package：TO-220；N-channel 600 V, 0.175 (ohm) typ., 18 A FDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in D2PAK, TO-220 and TO-247 packages Description These FDmesh II Plus™ low Qg Power MOSFETs with intrinsic fast-recovery body diode are produced using a new generation of MDmesh™ technology: MDmesh II Plus™ low Qg. These revolutionary Power MOSFETs associate a vertical structure to the companys strip layout to yield one of the world 文件：1.20083 Mbytes 页数：21 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STP24N60DM2	文件：300 bytes Page：1 Pages	N沟道600 V、0.175 Ohm典型值、18 A MDmesh DM2功率MOSFET，TO-220封装 These FDmesh II Plus™ low QgPower MOSFETs with intrinsic fast-recovery body diode are produced using a new generation of MDmesh™ technology: MDmesh II Plus™ low Qg. These revolutionary Power MOSFETs associate a vertical structure to the company's strip layout to yield one of the world's lowest on-re • Extremely low gate charge and input capacitance \n• Lower RDS(on)x area vs previous generation \n• Low gate input resistance \n• 100% avalanche tested \n• Zener-protected \n• Extremely high dv/dt and avalanche capabilities;	ST 意法半导体	ST
STW24N60DM2	文件：1.20083 Mbytes Page：21 Pages	N-channel 600 V, 0.175 (ohm) typ., 18 A FDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in D2PAK, TO-220 and TO-247 packages Description These FDmesh II Plus™ low Qg Power MOSFETs with intrinsic fast-recovery body diode are produced using a new generation of MDmesh™ technology: MDmesh II Plus™ low Qg. These revolutionary Power MOSFETs associate a vertical structure to the companys strip layout to yield one of the world 文件：1.20083 Mbytes 页数：21 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STB24N60DM2	文件：1.20083 Mbytes Page：21 Pages	N-channel 600 V, 0.175 (ohm) typ., 18 A FDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in D2PAK, TO-220 and TO-247 packages Description These FDmesh II Plus™ low Qg Power MOSFETs with intrinsic fast-recovery body diode are produced using a new generation of MDmesh™ technology: MDmesh II Plus™ low Qg. These revolutionary Power MOSFETs associate a vertical structure to the companys strip layout to yield one of the world 文件：1.20083 Mbytes 页数：21 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STF24N60DM2	文件：1.15831 Mbytes Page：11 Pages	N-Channel 650-V (D-S) Super Junction MOSFET 文件：1.15831 Mbytes 页数：11 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
STF24N60DM2	文件：821.22 Kbytes Page：13 Pages	Extremely high dv/dt ruggedness 文件：821.22 Kbytes 页数：13 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

技术参数

Package：
TO-220AB
Grade：
Industrial
VDSS(V)：
600
RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)：
0.2
Drain Current (Dc)_max(A)：
18
PTOT_max(W)：
150
Qg_typ(nC)：
29
Features：
Fast recovery diode
Reverse Recovery Time_typ(ns)：
155
Qrr_typ(nC)：
956
Peak Reverse Current_nom(A)：
12.5

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	STP24N60DM2	ST/意法	25+	TO-220	32360	ST/意法全新特价STP24N60DM2即刻询购立享优惠#长期有货	询价
深圳市华高宇电子有限公司	STP24N60DM2	STM	21+		2000	TO-220-3	询价
深圳市明嘉莱科技有限公司	STP24N60DM2	STMicroelectronics Asia Pacifi	25+	SMD	918000	明嘉莱只做原装正品现货	询价
深圳和润天下电子科技有限公司	STP24N60DM2	ST/意法半导体	22+	TO-220-3	6004	原装正品现货可开增值税发票	询价
深圳市瑞卓芯科技有限公司	STP24N60DM2	ST/意法	22+	TO-220-3	3000	原装正品	询价
深圳市恒达亿科技有限公司	STP24N60DM2	ST	25+	TO-220-3	6000	全新原装现货、诚信经营!	询价
深圳市润联芯城科技有限公司	STP24N60DM2	ST	17+	TO-220	99	只做原装正品	询价
深圳市科恒伟业电子有限公司	STP24N60DM2	ST	24+	TO220	7850	只做原装正品现货或订货假一赔十!	询价
深圳市澳亿芯电子科技有限公司	STP24N60DM2	ST	24+	TO-220-3	12000	原装正品假一罚十	询价
深圳市得捷芯城科技有限公司	STP24N60DM2	ST(意法)	25+	TO-220	12421	原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。	询价

更多STP24N60DM2供应商更新时间2026-1-29 21:08:00

客户服务网站合作

Tel：0755 8246 9263
Email：kf＠114ic.com
投诉建议：kf@114ic.com

Copyright © 2003-2026 114ic.com All Rights Reserved 粤ICP备05011613号粤公网安备 44030402000933号