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STW24N60DM2	文件：1.20083 Mbytes Page：21 Pages	Marking：24N60DM2；Package：TO-247；N-channel 600 V, 0.175 (ohm) typ., 18 A FDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in D2PAK, TO-220 and TO-247 packages Description TheseFDmeshIIPlus™lowQgPowerMOSFETswithintrinsicfast-recoverybodydiodeareproducedusinganewgenerationofMDmesh™technology:MDmeshIIPlus™lowQg.TheserevolutionaryPowerMOSFETsassociateaverticalstructuretothecompanysstriplayouttoyieldoneoftheworld	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
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STF24N60DM2	文件：1.15831 Mbytes Page：11 Pages	N-Channel650-V(D-S)SuperJunctionMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
STF24N60DM2	文件：821.22 Kbytes Page：13 Pages	Extremelyhighdv/dtruggedness	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STL24N60DM2	文件：812.39 Kbytes Page：15 Pages	N-channel600V,0.195(ohm)typ.,15AMDmeshDM2PowerMOSFETinaPowerFLAT8x8HVpackage	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
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