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24N60DM2	文件：1.20083 Mbytes Page：21 Pages	型号：STB24N60DM2；Package：D2PAK；N-channel 600 V, 0.175 (ohm) typ., 18 A FDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in D2PAK, TO-220 and TO-247 packages Description TheseFDmeshIIPlus™lowQgPowerMOSFETswithintrinsicfast-recoverybodydiodeareproducedusinganewgenerationofMDmesh™technology:MDmeshIIPlus™lowQg.TheserevolutionaryPowerMOSFETsassociateaverticalstructuretothecompanysstriplayouttoyieldoneoftheworld	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
24N60DM2	文件：1.20083 Mbytes Page：21 Pages	型号：STP24N60DM2；Package：TO-220；N-channel 600 V, 0.175 (ohm) typ., 18 A FDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in D2PAK, TO-220 and TO-247 packages Description TheseFDmeshIIPlus™lowQgPowerMOSFETswithintrinsicfast-recoverybodydiodeareproducedusinganewgenerationofMDmesh™technology:MDmeshIIPlus™lowQg.TheserevolutionaryPowerMOSFETsassociateaverticalstructuretothecompanysstriplayouttoyieldoneoftheworld	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
24N60DM2	文件：1.20083 Mbytes Page：21 Pages	型号：STW24N60DM2；Package：TO-247；N-channel 600 V, 0.175 (ohm) typ., 18 A FDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in D2PAK, TO-220 and TO-247 packages Description TheseFDmeshIIPlus™lowQgPowerMOSFETswithintrinsicfast-recoverybodydiodeareproducedusinganewgenerationofMDmesh™technology:MDmeshIIPlus™lowQg.TheserevolutionaryPowerMOSFETsassociateaverticalstructuretothecompanysstriplayouttoyieldoneoftheworld	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

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型号：STB24N60DM2；Package：D2PAK；N-channel 600 V, 0.175 (ohm) typ., 18 A FDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in D2PAK, TO-220 and TO-247 packages

Description TheseFDmeshIIPlus™lowQgPowerMOSFETswithintrinsicfast-recoverybodydiodeareproducedusinganewgenerationofMDmesh™technology:MDmeshIIPlus™lowQg.TheserevolutionaryPowerMOSFETsassociateaverticalstructuretothecompanysstriplayouttoyieldoneoftheworld

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