STL24N60M2芯片代码丝印对应型号-114ic电子网

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STL24N60M2	文件：1.27622 Mbytes Page：16 Pages	丝印：24N60M2；Package：PowerFLAT；N-channel 600 V, 0.186 typ., 18 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package Description This device is an N-channel Power MOSFET developed using MDmesh™ M2 technology. Thanks to its strip layout and an improved vertical structure, the device exhibits low on-resistance and optimized switching characteristics, rendering it suitable for the most demanding high efficiency co 文件：1.27622 Mbytes 页数：16 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STFH24N60M2	文件：747.85 Kbytes Page：12 Pages	丝印：24N60M2；Package：TO-220FPwidecreepage；N-channel 600 V, 0.168 ??typ., 18 A MDmesh??M2 Power MOSFET in a TO-220FP wide creepage package 文件：747.85 Kbytes 页数：12 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STFU24N60M2	文件：692.55 Kbytes Page：12 Pages	丝印：24N60M2；Package：TO-220FP；N-channel 600 V, 0.168 廓 typ., 18 A MDmesh??M2 Power MOSFET in a TO-220FP ultra narrow leads package 文件：692.55 Kbytes 页数：12 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
24N60M2	文件：1.15453 Mbytes Page：11 Pages	N-Channel 650-V (D-S) Super Junction MOSFET 文件：1.15453 Mbytes 页数：11 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

型号：
24N60M2
制造商：
STMicroelectronics
功能描述：
N-CHANNEL 600 V, 0.186 OHM TYP., 18 A MDMESH II PLUS(TM) LOW - Tape and Reel
功能描述：
N-CHANNEL 600 V, 0.186 OHM TYP., 18 A MDMESH II PLUS(TM) LOW - Cut TR(SOS)
功能描述：
MOSFET N-CH 600V 18A POWERFLAT
功能描述：
N-channel 600 V, 0.186 Ohm, 18A, PowerFLAT 8x8

更多24N60M2供应商更新时间2025-10-31 16:12:00