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24NM60N	文件：899.46 Kbytes Page：15 Pages	型号：STB24NM60N；Package：D2PAK；N-channel 600 V, 0.168, 17 A MDmesh II Power MOSFET Description TheseN-channel600VPowerMOSFETdevices aremadeusingthesecondgenerationof MDmesh™technology.ThisrevolutionaryPower MOSFETassociatesanewverticalstructureto thecompany’sstriplayouttoyieldoneofthe world’sloweston-resistanceandgatecharge.Itis theref	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团

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24NM60N

文件：899.46 Kbytes

Page：15 Pages

型号：STB24NM60N；Package：D2PAK；N-channel 600 V, 0.168, 17 A MDmesh II Power MOSFET

Description TheseN-channel600VPowerMOSFETdevices aremadeusingthesecondgenerationof MDmesh™technology.ThisrevolutionaryPower MOSFETassociatesanewverticalstructureto thecompany’sstriplayouttoyieldoneofthe world’sloweston-resistanceandgatecharge.Itis theref

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

详细参数

型号：
24NM60N
功能描述：
MOSFET N-Ch 600V 0.168 Ohm 17A Mdmesh II
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多24NM60N供应商更新时间2025-8-3 17:01:00

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