N沟道800 V、0.19 Ohm典型值、19.5 A MDmesh K5功率MOSFET，TO-220封装

这款超高压N-沟道功率MOSFET s采用MDmesh™ K5技术进行设计。该技术以创新专有的垂直工艺为基础。因此，在要求高功率密度和高效率的应用中，导通电阻显著降低，并具有极低的栅极电荷。 • 业界领先的低 RDS(on)x 面积 \n• 业界出色的品质因数（FoM） \n• 极低的栅极电荷 \n• 经过100％雪崩测试 \n• 稳压保护;

ST

意法半导体

N-channel 800 V, 0.19 typ., 19.5 A SuperMESH 5 Power MOSFET in D2PAK

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 19.5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 800V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.26Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

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ISC

无锡固电

N-channel 800 V, 0.19 typ., 19.5 A SuperMESH 5 Power MOSFET in D2PAK

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