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STP25N80K5数据手册ST中文资料规格书
STP25N80K5规格书详情
描述 Description
这款超高压N-沟道功率MOSFET s采用MDmesh™ K5技术进行设计。该技术以创新专有的垂直工艺为基础。因此，在要求高功率密度和高效率的应用中，导通电阻显著降低，并具有极低的栅极电荷。
特性 Features
• 业界领先的低 RDS(on)x 面积
• 业界出色的品质因数（FoM）
• 极低的栅极电荷
• 经过100％雪崩测试
• 稳压保护
技术参数
- 制造商编号
：STP25N80K5
- 生产厂家
：ST
- Package
：TO-220AB
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：800
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.26
- Drain Current (Dc)_max(A)
：14
- PTOT_max(W)
：250
- Qg_typ(nC)
：40
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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ST/意法半导体 |
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