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STP24NM65N中文资料N-channel 650 V - 0.16 Y - 19 A - TO-220/FP - D2/I2PAK - TO-247 second generation MDmesh™ Power MOSFET数据手册ST规格书
STP24NM65N规格书详情
描述 Description
This series of devices is designed using the second generation of MDmesh technology. This revolutionary Power MOSFET associates a new vertical structure to the companys strip layout to yield one of the worlds lowest on-resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.
特性 Features
100% avalanche tested
Low gate input resistance
Low input capacitance and gate charge
技术参数
- 型号：
STP24NM65N
- 功能描述：
MOSFET N-channel 650V
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
19 |
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询价 | ||
ST/意法 |
2450+ |
TO-220 |
9850 |
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询价 | ||
SEMIWELL |
23+ |
TO-220 |
60000 |
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询价 | ||
ST |
22+ |
TO2203 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
N |
30000 |
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ST |
25+23+ |
TO-220 |
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ST |
23+ |
TO-220 |
16900 |
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询价 | ||
RAKON |
23+ |
SMD |
11200 |
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询价 | ||
VBsemi |
24+ |
TO220 |
11000 |
原装正品 有挂有货 假一赔十 |
询价 | ||
ST |
17+ |
TO-220 |
6200 |
询价 |
