首页>STP21NM60ND>规格书详情
STP21NM60ND中文资料N-channel 600 V, 0.17 Ohm typ., 17 A, FDmesh(TM) II Power MOSFET (whit fast diode) in TO-220 package数据手册ST规格书
STP21NM60ND规格书详情
描述 Description
These FDmesh™ II Power MOSFETs with intrinsic fast-recovery body diode are produced using the second generation of MDmesh™ technology. Utilizing a new strip-layout vertical structure, these revolutionary devices feature extremely low on-resistance and superior switching performance. They are ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
特性 Features
Intrinsic fast-recovery body diode
Worldwide best R
DS(on)*area amongst the fast recovery diode devices
100% avalanche tested
Low input capacitance and gate charge
Low gate input resistance
Extremely high dv/dt and avalanche capabilities
技术参数
- 型号：
STP21NM60ND
- 功能描述：
MOSFET N-channel 600V, 17A FDMesh II
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
4202 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
ST/意法 |
2517+ |
TO-220-3 |
8850 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
询价 | ||
ST |
10+ |
TO-220 |
60 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
ST/意法 |
23+ |
TO220 |
50000 |
只做原装正品 |
询价 | ||
ST |
2025+ |
TO220 |
3872 |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
询价 | ||
ST |
22+ |
TO2203 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
ST/意法 |
25+ |
TO-220-3 |
32360 |
ST/意法全新特价STP21NM60ND即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
N |
30000 |
十七年VIP会员,诚信经营，一手货源，原装正品可零售！ |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
TO-220 |
8000 |
只做原装，欢迎询价，量大价优 |
询价 | ||
原厂原包 |
24+ |
原装 |
38560 |
原装进口现货,工厂客户可以放款。17377264928微信同 |
询价 |
