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STP23NM60ND规格书详情
描述 Description
These FDmesh™ II Power MOSFETs with intrinsic fast-recovery body diode are produced using the second generation of MDmesh™ technology. Utilizing a new strip-layout vertical structure, these revolutionary devices feature extremely low on-resistance and superior switching performance. They are ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
特性 Features
The worldwide best R
DS(on)* area amongst the fast recovery diode devices
100% avalanche tested
Low input capacitance and gate charge
Low gate input resistance
High dv/dt and avalanche capabilities
技术参数
- 型号：
STP23NM60ND
- 功能描述：
MOSFET N-channel 600V, 20A FDMesh II
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
2020+ |
TO-220 |
15 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
询价 | ||
ST |
2022+ |
TO-220 |
7600 |
原厂原装,假一罚十 |
询价 | ||
ST |
25 |
TO-220 |
6000 |
原装正品 |
询价 | ||
STM |
21+ |
TO220F |
380 |
原装现货假一赔十 |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
TO220ISOFULLPACK |
100394 |
询价 | |||
ST |
24+ |
08+ |
1 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
3297 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
ST |
23+ |
原盒原包装 |
33000 |
全新原装假一赔十 |
询价 | ||
ST |
23+ |
TO-220 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
询价 | ||
ST/意法 |
25+ |
TO-220 |
32360 |
ST/意法全新特价STP23NM60ND即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 |
