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STP220N6F7规格书详情
描述 Description
该N-沟道功率MOSFET利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构,可降低通态电阻,同时降低内部电容和栅极电荷,从而使开关速度更快、能效更高。
特性 Features
• 处于市面上最低的RDS(on) 行列
• 出色的品质因数(FoM)
• 较低的Crss/Ciss 比值使得其具有更强的抗EMI能力
• 坚固的抗雪崩能力
技术参数
- 制造商编号
:STP220N6F7
- 生产厂家
:ST
- Package
:TO-220AB
- Grade
:Industrial
- VDSS(V)
:60
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
:0.0024
- Drain Current (Dc)_max(A)
:120
- PTOT_max(W)
:237
- Qg_typ(nC)
:100
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA |
178 |
原装现货,专业配单专家 |
询价 | ||
ST |
2024+ |
N/A |
70000 |
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ST |
24+ |
TO-220 |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
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ST/意法半导体 |
2511 |
TO-220-3 |
16900 |
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ST/意法 |
24+ |
NA/ |
1000 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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ST/意法半导体 |
22+ |
TO-220-3 |
10000 |
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ST/意法半导体 |
21+ |
TO-220-3 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
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ST |
24+ |
TO-220 |
4000 |
只做原装 有挂有货 假一赔十 |
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ST/意法半导体 |
24+ |
TO-220-3 |
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全新原装深圳仓库现货有单必成 |
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ST/意法半导体 |
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原厂封装 |
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